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第一章绪论
§1.1引 言
§1.2纳米材料的物理性质
1.2.1尺寸效应
1.2.2小尺寸效应
1.2.3宏观量子隧道效应
1.2.4介电限域效应
§1.3锗纳米晶的力学性质及研究现状
§1.4镶嵌在SiO2介电基体中Ge纳米晶体的制备方法
1.4.1溶胶-凝胶法(SolGel)
1.4.2溅射法(Sputtering)
1.4.3分子束外延(MBE)
1.4.4化学气相沉积法(CVD)
1.4.5离子注入法(Ion implantation)
§1.5半导体纳米材料几种经典的发光模型
1.5.1量子限域效应发光模型
1.5.2与氧缺陷有关的发光模型
1.5.3界面层中激子效应发光模型
§1.6本文章的主要研究意义、内容及目的
第二章脉冲激光沉积技术
§2.1脉冲激光沉积技术的发展简史
§2.2脉冲激光沉积系统的结构
§2.3脉冲激光沉积技术的原理
§2.4脉冲激光沉积技术的优点、缺点
第三章镶嵌在不同介电基体中的锗纳米晶体的制备及表征
§3.1 Ge纳米晶体的PLD制备
3.1.1衬底
3.1.2靶材
3.1.3工艺参数
3.1.4实验设备
3.1.5沉积与退火处理
§3.2本文用到的表征技术
3.2.1 X射线衍射(XRD)
3.2.2透射电子显微镜(TEM)
3.2.3光致发光
第四章Ge纳米晶体的结构分析
§4.1 Ge纳米晶体的TEM分析
§4.2 Ge纳米晶体的Rietveld精修分析
4.2.1 Rietveld方法原理的介绍
4.2.2 Rietveld结构精修的基本条件
4.2.3 Ge纳米晶体的XRD图
第五章Ge纳米晶体有限元及光致发光分析
§5.1 ANSYS有限元分析
5.1.1 ANSYS软件
5.1.2结果分析
§5.2 Ge纳米晶体的光致发光分析
第六章总结
参考文献
在学期间公开发表论文及著作情况
致 谢
