电子束再生制造多晶硅熔体全熔时点的判断

声明

1 绪论

1.1 光伏产业综述

1.1.1 太阳能光伏发电技术的发展与展望

1.1.2 主要发达国家光伏产业的发展现状

1.1.2 我国光伏产业的发展现状

1.2 硅材料综述

1.2.1 硅的性质与应用

1.2.2 太阳能级硅的制备工艺

1.2.3 光伏产业对太阳能级硅的巨大需求及再生硅的意义

1.2.4 硅的再生方法综述

1.3 利用电子束技术再生硅材料

1.3.1 电子束技术的应用

1.3.2 电子束熔炼技术与设备

1.3.3 电子束熔炼法在提纯硅方面的应用与研究进展

1.4 本课题研究的目的与内容

2 实验原理及设备

2.1 电子束再生制造多晶硅的理论基础

2.1.1 电子束蒸发去除杂质原理

2.1.2 电子束诱导硅定向凝固原理

2.1.3 电子束熔炼提纯效果对熔炼时间的敏感性

2.2 产业化电子束熔炼设备

2.2.1 设备总体构成

2.2.2 设备各个部分构成

2.2.3 典型电子束熔炼技术

2.3 材料分析与评价设备

2.3.1 带锯床

2.3.2 超声波清洗机

2.3.3 烘干箱

2.3.4 电阻率测试仪

2.3.5 少数载流子寿命检测仪

3 电子束熔炼过程中硅全熔时点的判断

3.1 实验方法

3.1.1 原料

3.1.2 实验过程

3.1.3 样品的分析与检测

3.2 实验结果与讨论

3.2.1 利用冷却水温差反应熔体状态的可行性

3.2.2 熔炼过程中冷却水温差变化趋势

3.2.2 全熔时点判据的提出

3.3 本章小结

4 全熔时点判据的有效性评价

4.1 多晶硅电学性能与杂质含量的关系

4.2 铸锭的宏观形貌及电学性能

4.3 有效熔炼时间的确定

4.4 有效熔炼时间与电学性能的对应关系

4.5 本章小结

结论

参考文献

致谢