二次电子对霍尔推进器鞘层影响的数值模拟

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声明

1绪论

1.1 电推进技术发展回顾

1.1.1 电推进器的发展背景

1.1.2电推进器系统分类及工作原理

1.1.3典型电推进系统特点及性能比较

1.1.4电推进器系统国内外研究及应用现状

1.2霍尔推进器简述

1.2.1霍尔电推进器的结构和工作原理

1.2.2霍尔电推进器的放电特性

1.3霍尔推进器内等离子体与器壁相互作用

1.3.1 鞘层的形成与影响

1.3.2器壁材料特性与二次电子发射

1.3.3二次电子对等离子体鞘层的影响

1.3.4霍尔推进器内外壁二次电子"双流"运动的形成与影响

1.3.5霍尔推进器内不稳定性概述

1.4本章小结

2 内外壁面二次电子对等离子体鞘层性质的相互影响

2.1二次电子的捕获系数

2.2推进器通道的鞘层模型

2.3数值计算结果与讨论

2.3.1二次电子的捕获系数对SPT鞘层的影响

2.3.2沉积在器壁的动能流

2.3.3二次电子发射对到鞘层电子临界温度的影响

2.4电荷饱和极限简单讨论

3霍尔推进器通道二维粒子模拟

3.1 等离子体粒子模拟

3.1.1等离子体粒子模拟简介

3.1.2霍尔推进器内粒子模拟方法的优势

3.2二维模型的建立和简化假设

3.3模型方程与边界条件

3.4无量纲化处理

3.5数值模拟结果与分析

3.5.1鞘层区域电子的能量分布

3.5.2 电流密度和霍尔推进器运行参数之间的关系

3.6本章小结

4二次电子发射对等离子体鞘层不稳定性影响的定性分析

4.1霍尔推进器内不稳定性的研究意义

4.1.1实际应用背景

4.1.2霍尔推进器内的不稳定性的分类和原因

4.2鞘层不稳定性理论研究

4.2.1不稳定性发生的理论分析

4.2.2鞘层不稳定性与二次电子回旋相角的关系

4.3本章小结

5 结论

参考文献

附录A无量纲化表

攻读硕士学位期间发表学术论文情况

致谢