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独创性说明及大连理工大学学位论文版权使用授权书
1 绪论
2 设备设计基本理论
3设计方案及实施
4实验结果分析
4.1设备参数的影响
4.2等离子聚合非晶碳薄膜实验
4.3小结
4.4展望
结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致 谢
劳晓东;
大连理工大学;
化学气相沉积; 有机物薄膜; 等离子体增强; 电子发射源; 磁场装置; 活化源; PECVD设备;
机译:微波励磁等离子体有机金属化学气相沉积设备的研制和铁电SR_2的形成(Ta_(1-x),Nb_x)_2O_7膜
机译:微波激发等离子体有机金属化学气相沉积设备的研制及强电介质Sr_2(Ta_(1-x),Nb_x)_2O_7膜的形成
机译:通过等离子体增强化学气相沉积,用单一前体1,1,1,3,5,7,7,5-二氧化硅氧烷沉积的低k SicoH薄膜沉积。通过等离子体增强化学气相沉积,含有单次前体1,1,1,3,5,7,7,7八甲基-3,5-双(三甲基硅氧基)四硅氧烷
机译:使用微波等离子体增强化学气相沉积的抗反射涂层的研制
机译:晶格匹配的III-V / IV组半导体异质结构:金属有机化学气相沉积和远程等离子体增强化学气相沉积。
机译:利用磁等离子体纳米腔中的多极暗等离子体激元杂交增强光极化的磁调制。
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积技术的GaN / AlGaN Hemts钝化性能分析
机译:用电子束生成等离子体的等离子体增强化学气相沉积siOx薄膜
机译:用于等离子体增强化学气相沉积的方法和用于等离子体增强化学气相沉积的设备
机译:等离子体增强化学气相沉积设备和进行等离子体增强化学气相沉积的方法
机译:磁增强低温高密度等离子体化学气相沉积等离子体源,用于沉积金刚石和类金刚石薄膜
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