AIP脉冲偏压电源及等离子体诊断系统的设计与应用研究

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电弧离子镀以其离化率高沉积速度快、膜层致密、膜基结合力强、绕镀性好等优点,已发展成为世界范围的一项高新技术产业.为了扩大电弧离子镀的基材范围和用电弧离子镀设备制备出内应力较低的更厚镀层以及其它类型应用的高性能镀层,随着脉冲功率技术的发展,一种脉冲负偏压工艺开始用于电弧离子镀技术.但是由于目前国内用于电弧离子镀的脉冲负偏压电源比较少,并且表征脉冲电源特性的f和D参数大都固定,只有电压可调,为此开发一种各种参数灵活可调的脉冲电源显得尤为重要.另一方面,为了实时了解电弧等离子体反应器内的情况,给出等离子体的各种特性参数,开发一套自动化程度比较高的等离子体诊断系统也势在必行.该论文对这两方面的问题作了研究,主要完成了以下工作:1.该论文提出了主电路部分先逆变后斩波,输出部分为四路IGBT相互串联叠加的设计方案,经过实际使用证明,该方案可以做到在一定范围内灵活调节偏压电源输出的各种参数.2.运用高集成度高速度的单片机,高压高功率放大器,以及高速D/A、A/D转换电路,设计完成由输出幅度为±100V,输出频率在400Hz~20KHz范围内可调的智能等离子体诊断电源和基于ISA插槽的采样率为1MHz,精度为12位的双通道数据采集卡组成的诊断系统.3.应用设计的电源和诊断系统,在俄产Bulat6型设备上进行试验.首次诊断出在正常镀膜条件下,电弧镀等离子体的电子温度,离子密度、等离子体空间电位.并相应的算出了等离子体鞘层厚度及由鞘层引起的电容.经过对直流偏压和脉冲偏压两种工艺下合成的TiN薄膜的各项性能测试结果表明,脉冲偏压工艺下合成的薄膜品质优良,电源输出脉冲参数的调整和等离子体状态的诊断为工艺的稳定实施提供了很好的保障.设计达到了预定的设计目标.

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作者
隋振中;
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作者单位

大连理工大学;

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授予单位大连理工大学;
学科测试计量技术及仪器
授予学位硕士
导师姓名戚栋,林国强;
年度 2003
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类辐射与测量;真空镀与气相镀法;
关键词
电弧离子镀; 脉冲偏压电源; 等离子体; 诊断系统;

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