自组装GaN/AIN量子点结构生长的初步研究

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量子点结构的生长与特性的研究是一项具有重要理论意义和应用价值的课题.近年来,自组装量子点的生长与研究越来越受重视,而自组装技术的应用也越来越广泛.论文首先给出了薄膜生长理论和生长技术;进而叙述了材料表面检测的各种方法和特征.该论文主要论述了在ESPD-U装置上,采用电子回旋共振等离子体增强MOCVD(ECR-PAMOCVD)方法,在蓝宝石衬底上通过S-K模式自组装生长GaN/AlN量子点结构的生长工艺、结果及讨论.而重点分析了自组装生长量子点之前的AlN外延层生长工艺,包括衬底清洗、氮化、缓冲层的生长和GaN、AlN外延层的生长;通过高能电子衍射、X射线衍射和原子力显微镜测试,并且对这些测试结果进行了详细的比较研究,得出了较优化的工艺条件,生长出了晶质较好、表面较平整的AlN外延层;进而采用S-K模式自组装生长了GaN/AlN量子点结构.由于实验装置加热炉温度的限制,我们没有能够生长出原子级平滑的AlN外延层表面,因而没能够生长出密度比较大和直径比较小的量子点.但是只要解决了加热炉问题,是可以生长出质量比较好的量子点结构的.该论文工作属于导师的国家自然科学基金项目(69976008)研究的一部分.

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作者
常久伟;
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作者单位

大连理工大学;

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授予单位大连理工大学;
学科微电子学与固体电子学
授予学位硕士
导师姓名徐茵;
年度 2002
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类化合物半导体;
关键词
自组装量子点; 电子回旋共振; PA-MOCVD; 高能电子衍射;

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