ZnO/PFO及ZnO/NPB无机/有机半导体纳米异质结的制备及特性研究

声明

摘要

1 绪论

1．1 纳米技术

1．2 纳米材料

1．3 ZnO纳米半导体材料

1．3．1 ZnO的基本性质

1．3．2 ZnO的发展与应用

1．3．3 ZnO纳米结构的实验制备方法

1．4 半导体异质结

1．4．1 无机／有机半导体异质结的研究的最新进展

1．4．2 论文选用的有机半导体材料的特性

1．4．3 无机／有机半导体异质结研究中存在的问题

1．5 本论文的研究意义与内容

1．5．1 论文的研究意义

1．5．2 论文的研究内容

1．5．3 论文的创新点及研究价值

2 取向ZnO半导体纳米线阵列的制备及生长机制

2．1 引言

2．2 水热法制备ZnO纳米材料

2．3 水热法制备ZnO的实验过程

2．3．1 实验过程

2．3．2 表征仪器

2．4 ZnO纳米线的表征与分析

2．4．1 ZnO纳米线的生长机制

2．4．2 ZnO纳米线形貌的影响

2．4．3 ZnO纳米线的XRD表征

2．4．4 ZnO纳米线的PL谱表征

2．5 退火对ZnO纳米线阵列的影响

2．6 小结

3 纳米线结构ZnO／PFO及ZnO／NPB异质结器件的制备及特性

3．1 无机／有机结构半导体异质结的优势

3．2 纳米线结构ZnO／PFO及ZnO／NPB异质结器件的制备

3．2．1 实验过程

3．2．2 实验设备与表征仪器

3．3 纳米线结构ZnO／PFO及ZnO／NPB异质结器件的形貌

3．3．1 纳米线结构异质结器件的形貌特性

3．4 纳米线结构ZnO／PFO及ZnO／NPB异质结器件的Ⅳ特性

3．4．1 ZnO纳米线对异质结器件Ⅳ特性的影响

3．4．2 有机薄膜厚度对异质结器件Ⅳ特性的影响

3．4．3 异质结器件的光电特性

3．5 小结

4 薄膜型ZnO／PFO及ZnO／NPB异质结器件的制备及特性

4．1 薄膜型ZnO／PFO及ZnO／NPB异质结的制备与分析

4．1．1 制备薄膜型异质结器件的实验过程

4．1．2 薄膜型异质结器件的生长设备与分析仪器

4．2 薄膜型ZnO／PFO及ZnO／NPB异质结器件的微观形貌

4．2．1 磁控溅射法制备ZnO纳米薄膜的形貌与晶体结构

4．2．2 薄膜型异质结器件的形貌特性

4．3 薄膜型ZnO／PFO及ZnO／NPB异质结的Ⅳ特性

4．3．1 ZnO膜层厚度对薄膜型异质结器的Ⅳ特性的影响

4．3．2 有机膜层厚度对薄膜型异质结器件Ⅳ特性的影响

4．3．3 薄膜型异质结器件的光电特性

4．4 小结

结论

参考文献

攻读硕士学位期间发表学术论文’情况

致谢