声明
摘要
第一章 绪论
§1．1 材料的基本结构
§1．1．1 InAs的基本结构
§1．1．2 研究意义
§1．2 InAs半导体的的基本性质
§1．3 论文内容安排
第二章 理论基础和计算方法
§2．1 密度泛函理论
§2．1．1 绝热近似与哈特利-福克近似
§2．1．2 Hohenberg-kohn定理
§2．1．3 Kohn-Sham方程
§2．1．4 常用的交换关联势
§2．1．5 赝势方法
§2．3 Materials Studio软件
§2．3．1 软件介绍
2．3．2 CASTEP的任务
第三章 闪锌矿InAs和InAs1-xPx的晶格常数和电子结构
§3．1 理论模型与计算方法
§3．2 计算结果与讨论
§3．2．1 闪锌矿InAs1-xPx的晶格常数和带隙值
§3．2．2 闪锌矿InAs的态密度和能带结构
§3．2．3 闪锌矿InAs1-xPx电子能带结构
§3．2．4 闪锌矿InAs1-xPx总态密度以及分波态密度
第四章 闪锌矿InAs和InAs1-xPx的光学性质
§4．1 引言
§4．2 理论方法
§4．3 计算结果与讨论
§4．3．1 InAs的光学性质
§4．4 总结
第五章 总结
参考文献
致谢
