掺铜多孔硅的光致发光及多孔硅的光电导特性研究

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该文根据室温下多孔硅在可见光范围内较强的可见光发射现象和敏感的光学性质,研究了多孔硅的发光特性和光电导特性,并对其发光机理进行了进一步探讨.论文第一章是多孔硅的综述部分.该章首先回顾了多孔硅的研究历史,主要论述了多孔硅的制备工艺及其独特的微结构特征,然后论述了多孔硅的发光特性和光电特性.论文第二章研究了多孔硅的光致发光特性和发光机理.多年来,人们对多孔硅的发光机理一直进行着坚持不懈的研究和探讨,已经提出了许多解释多孔硅层(PSL)发光的模型,典型的有以下几种:量子限制模型、氢化非晶硅模型、硅氧烯分子模型、表面态模型和量子限制发光中心模型.尽管如此,多孔硅的发光机理仍是一个有争议的问题.发光和猝灭在发光材料中是互相对立互相竞争的两种过程.研究发光和发光猝灭现象,对掌握多孔硅的发光机理具有重要的意义.该章采用浸泡镀敷的方法对多孔硅进行了铜掺杂处理,该掺杂过程是经过浸泡,使硫酸铜稀溶液中的铜离子吸附在多孔硅层的纳米硅粒上,然后扩散进纳米硅粒中的.论文的第三章是关于多孔硅光电导特性的研究.对多孔硅光电特性的研究是多孔硅材料走向实用化的前提.多孔硅对可见光十分敏感,并具有较好的可见光光电导效应.低维半导体的研究是现在材料领域发展最快、最吸引人的,并具有重要的技术应用前景.多孔硅以其简单的制备方法、复杂的微结构特征、较高的光致发光效率以及良好的光电特性而备受研究者们关注.随着研究的逐渐深入和各种测试技术的发展,多孔硅的奥妙终将被揭开,它作为一种光电材料也必将在光电子领域展示其迷人的应用前景.

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作者
李媛媛;
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作者单位

曲阜师范大学;

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授予单位曲阜师范大学;
学科物理电子学
授予学位硕士
导师姓名李清山;
年度 2004
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类 TN304.12;TB342;
关键词
多孔硅; 发光机理; 光致发光谱; 金属镀敷; 光电导;

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