基于相变存储器电流约束下片内并行写入操作研究

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摘要

第一章 绪论

1．1 课题研究背景及意义

1．2 国内外研究现状及分析

1．2．1 相变存储器产品

1．2．2 基于PCM的非易失性主存研究

1．3 本文的章节安排

1．3．1 本文的主要工作

1．3．2 本文的组织结构

第二章 相关技术研究

2．1 PCM的机理

2．2 PCM的基本特点

2．3 PCM的工作特性

2．3．1 PCM的PCM编程原理

2．3．2 PCM读取原理

2．3．3 PCM器件的工作特性

2．4 本章小结

第三章 提高PCM访存性能的相关研究

3．1 混合存储

3．2 改善编码方式

3．3 改进内部操作

3．4 本章小结

第四章 基于PCM的电流配额管理策略

4．1 硬件架构

4．2 写入路径

4．3 逻辑判断

4．4 写过程并行实现

4．5 本章小结

第五章 实验结果及分析

5．1 仿真环境

5．1．1 硬件建模

5．1．2 负载构造

5．2 实验：写速度对比

5．3 本章小结

第六章 总结与展望

6．1 全文总结

6．2 课题展望

参考文献

致谢