基于CVD工艺的3C/4H-SiC异质外延：缺陷表征及演化

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符号对照表

缩略语对照表

第一章 SiC多型及材料特性

1.1 SiC半导体材料的发展历史

1.2 SiC多型及表示符号

1.3 SiC材料基本特性

1.4 SiC异质结结构

1.5 本文主要工作

第二章 化学气相沉淀

2.1 SiC晶体外延

2.2 CVD原理

2.3 CVD外延生长

2.4 本章小结

第三章 Si面3C/4H-SiC异质外延

3.1 Si面3C/4H-SiC异质外延实验

3.2缺陷表征和缺陷演化

3.3 SiC CVD外延生长中吸附原子迁移的各向异性

3.4 高温低温3C-SiC外延生长的比较

3.5 本章小结

第四章 C面3C/4H-SiC异质外延

4.1 实验流程

4.2 宏观缺陷分类

4.3 超V型结构（SVSS）缺陷

4.4“盆地”缺陷

4.5 多晶成核

4.6 C面和Si面3C/4H-SiC异质外延的对比研究

4.7 本章小结

第五章 DPB缺陷表征及动力学机理

5.1 DPB缺陷的成因

5.2 V型DPB缺陷的动力学机理研究

5.3 DPB缺陷中晶格失配的估算

5.4 DPB缺陷协助外延

5.5 本章小结

第六章 结束语

参考文献

致谢

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