一种过压保护器的关键性能研究与改进

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摘要

插图索引

第一章 绪论

1．1 半导体保护器件简介

1．2 半导体保护器件的发展现状

1．2．1 国外发展概况

1．2．2 国内发展概况

1．3 选题背景和意义

1．4 论文的主要研究内容

1．5 论文的内容安排

第二章 开关型晶闸管保护器件的工作原理

2．1 晶闸管简介

2．1．1 正向工作

2．1．2 反向工作

2．2 基本工作原理

2．2．1 高阻工作

2．2．2 正向击穿

2．2．3 正向导通

2．2．4 器件关断

2．2．5 反向阻断

2．3 器件的触发原理

2．4．1 热触发

2．4．2 光触发

2．4．3 阳极电流触发

2．4．4 门极的触发原理

第三章 保护器件B72XX的主要特性参数及其应用研究

3．1 主要特性参数

3．1．1 静态特性参数

3．1．2 动态特性参数

3．2 工作原理

3．3 应用研究

3．3．1 电流触发应用

3．3．2 电压跟随保护应用

3．4 典型应用

第四章 提升应用电压的方法研究

4．1 提高平面PN结反向击穿电压的措施

4．1．1 平面PN结的终端效应

4．1．2 衬底材料电阻率对PN结击穿电压的影响

4．1．3 场版对PN结击穿电压的影响

4．1．4 结面终端曲率半径对PN结击穿电压的影响

4．1．5 介质层对PN结击穿电压的影响

4．2 VAK的提升

4．2．1 VAK的影响因素分析

4．2．2 VAK摸底测试及分析

4．2．3 提高VAK的措施

4．2．4 效果验证

4．3 提高控制三极管的发射结反向击穿电压VEB的措施

4．3．1 VEB的影响因素分析

4．3．2 VEB的控制

4．3．3 提高VEB、控制β值的措施

4．3．4 调整过程

4．3．5 实际效果

4．4 应用电压提升的整体效果

第五章 降低通态电压的方法研究

5．1 影响通态电压的因素分析

5．2 降低体压降Vi的措施

5．2．1 减薄N1区的厚度

5．2．2 少子寿命的控制

5．3 降低结压降Vj

5．3．1 α1的增大

5．3．2 α2的增大

5．4 降低接触压降VS

5．5 降低通态电压VT的整体效果

第六章 结束语

参考文献

致谢

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