声明
摘要
第一章 绪论
1.1 研究意义
1.2 研究现状
1.2.1 应变Si能带结构研究现状
1.2.2 应变SiGe能带结构研究状况
1.2.3 能带结构计算方法的发展动态
1.3 本文的主要工作
第二章 锗的基本特性与能带计算方法
2.1 锗的晶格结构
2.2 锗的能带结构
2.3 赝势法
2.3.1 赝波方程
2.3.2 赝势形式因子
2.3.3 经验和白洽赝势法
2.4 紧束缚法
2.4.1 分子轨道和重叠参数
2.4.2 用紧束缚方法计算Ge的能带结构
2.5 K.P.微扰法
2.6 小结
第三章 应变Ge的哈密顿模型
3.1 应变张量ε
3.1.1 应变张量的通解
3.1.2 不同晶向的应变张量
3.2 应变Ge的哈密顿模型
3.3 小结
第四章 应变Ge价带色散关系模型
4.1 应变锗价带理论模型
4.2 应变锗价带E(k)-k结构模拟
4.2.1 应力对应变Ge价带结构的影响
4.2.2 不同衬底对应变Ge价带结构的影响
4.2.3 不同晶向对应变Ge价带结构的影响
4.2.4 等能线图与等能面图的分析
4.3 小结
第五章 应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性
5.1 空穴有效质量各向异性
5.1.1 理论模型
5.1.2 结果与分析
5.2 空穴有效质量各向同性
5.2.1 理论模型
5.2.2 结果与分析
5.3 小结
第六章 总结
致谢
参考文献
攻读硕士研究生期间的研究成果