GaN基增强型器件及AlGaN/GaN二次生长的研究

声明

摘要

第一章 绪论

1．1 GaN基异质结材料的优势及应用

1．1．1 GaN基材料的优势和特点

1．1．2 GaN基材料的应用

1．2 GaN基材料的生长工艺

1．2．1 GaN晶体薄膜外延生长技术概述

1．2．2 GaN晶体薄膜外延生长的衬底材料

1．2．3 MOCVD技术生长GaN晶体薄膜

1．3 增强型器件研究现状

1．4 本文主要工作与安排

第二章AlGaN／GaN基本理论及相关的表征方法

2．1 AlGaN／GaN异质结概述

2．1．1 AlGaN／GaN异质结的极化效应

2．1．2 AlGaN／GaN异质结的二维电子气(2DEG)

2．1．3 AlGaN／GaN结构设计

2．1．4 AlGaN／GaN器件基本参数

2．2 半导体材料表征

2．2．1 原子力显微镜(AFM)

2．2．2 光致发光谱(PL)

2．2．3 高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)

2．2．4 电容-电压(C-V)

第三章 增强型AlGaN／GaN器件的模拟研究

3．1 AlGaN／GaN异质结二维电子气的模拟

3．2 槽型沟道AlGaN／GaN增强型HEMT的模拟

3．2．1 模拟采用的器件结构

3．2．2 器件工作原理

3．2．3 槽型沟道器件仿真结果及分析

3．3 非连续沟道的增强型AlGaN／GaN器件的模拟

3．3．1 模拟采用的器件结构

3．3．2 器件工作原理

3．3．3 仿真结果分析

3．4 本章小结

第四章 GaN基异质结材料的二次生长研究

4．1 引言

4．2 ICP及RIE刻蚀后的二次生长研究

4．2．1 样品制备

4．2．2 ICP刻蚀以及刻蚀后的二次生长的研究

4．2．3 RIE刻蚀以及刻蚀后的二次生长的研究

4．3 退火处理降低刻蚀损伤和提高二次生长质量的研究

4．3．1 样品制备

4．3．2 实验结果分析

4．4 本章小结

第五章 结束语

致谢

参考文献

攻读硕士期间研究成果与获奖情况