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【6h】

应用于光流体显微镜的TDI CMOS图像传感器关键技术研究

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目录

声明

1 绪论

1.1 研究的背景和意义

1.2 国内外研究进展

1.2.1 光流体显微镜中图像传感器的研究进展

1.2.2 光流体显微镜中超分辨率成像的研究进展

1.2.3 图像传感器中ADC的研究进展

1.3 本文研究的内容及论文结构

2 CMOS图像传感器及其ADC

2.1 CMOS图像传感器的工作原理

2.1.1 不同转换方式的CMOS图像传感器

2.1.2 不同成像方式的CMOS图像传感器

2.1.3 光流体显微镜中的CMOS图像传感器

2.2 ADC的工作原理

2.2.1 ADC概述

2.2.2 ADC的主要特性参数

2.2.3 常见ADC的工作原理

2.3 TDI CMOS图像传感器中的ADC

2.3.1 TDI CMOS图像传感器对ADC的要求

2.3.2 列并行两步式MRSS ADC

2.3.3列并行两步式SS/SAR ADC

2.4 本章小结

3 基于TDI CMOS图像传感器的光流体显微镜超分辨率成像研究

3.1 基于TDI CMOS图像传感器的超分辨率成像方法

3.1.1 亚像素图像信息的采集原理

3.1.2 超分辨率图像的还原

3.1.3 TDI级数和过采样频率对成像的影响

3.2 光流体显微镜中超分辨率成像

3.2.1 光流体显微镜中超分辨率成像考虑

3.2.2 光流体显微镜中超分辨率成像过程

3.3TDI CMOS图像传感器的列处理电路

3.3.1 列处理电路系统结构

3.3.2 累加器电路

3.3.3 实现与验证

3.4 本章小结

4TDI CMOS图像传感器中列并行全差分双斜坡ADC研究

4.1 全差分双斜坡ADC系统结构

4.1.1 全差分输入比较器

4.1.2 下极板采样全差分双斜坡ADC

4.1.3 上极板采样全差分双斜坡ADC

4.2 全差分双斜坡ADC中的比较器

4.2.1 比较器简介

4.2.2 比较器的设计考虑

4.2.3 比较器的设计参数

4.2.4 比较器的仿真与实现

4.3 全差分双斜坡ADC中的斜坡发生器

4.3.1 斜坡发生器实现方式

4.3.2 电流源阵列

4.3.3 开关及其驱动阵列

4.3.4 电流源偏置及其驱动电路

4.3.5 斜坡发生器的仿真与版图

4.4 全差分双斜坡ADC的实现

4.4.1 ADC特性仿真

4.4.2 芯片测试结果

4.5 本章小结

5 TDI CMOS图像传感器中列并行两步式SAR/SS ADC研究

5.1提出的列并行两步式SAR/SS ADC

5.1.1SAR/SS ADC系统

5.1.2 SAR/SS ADC电路及其工作原理

5.1.312位SAR/SS ADC分段方式的确定

5.1.4 电容DAC的设计考虑

5.1.5 采样保持电路

5.2 列并行改进型栅压自举开关

5.2.1 采样开关

5.2.2 传统栅压自举开关

5.2.3 提出的改进型栅压自举开关

5.2.4 低功耗设计

5.2.5 仿真验证

5.3 SAR/SS ADC的校准技术

5.3.1 SAR/SS中的误差

5.3.2 基于冗余位的校准方法

5.3.3 基于高精度低位的校准方法

5.4SAR/SS ADC中的比较器

5.4.1 比较器的电路图

5.4.2 比较器仿真与实现

5.5SAR/SS ADC中的斜坡发生器

5.5.1 电流源阵列

5.5.2 电流源偏置与电压抬升

5.5.3 斜坡发生器仿真与实现

5.6 SAR/SS ADC的实现

5.6.1 SAR/SS ADC的版图与后仿真

5.6.2 芯片测试结果

5.7 本章小结

6 总结与展望

6.1 主要完成工作

6.2 创新点

6.3 展望

致谢

参考文献

攻读学位期间主要研究成果

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摘要

随着智慧医疗、远程医疗的发展,便携式医疗器械成为研究热点,基于微流控和图像传感器技术的光流体显微镜(Optofluidic Microscope),因其易于系统集成、便于携带和可实时检测等优点,在生物细胞检测领域受到广泛关注,CMOS图像传感器作为光流体显微镜中的成像模块决定了成像质量。因此,面向光流体显微镜应用,对高速、高精度CMOS图像传感器中的关键技术进行研究具有重要意义。本文将时间延迟积分(Time Delay Integration,TDI)CMOS图像传感器应用于光流体显微镜,进行超分辨率成像方法、列并行模数转换器(Analog-to-Digital,ADC)等关键技术研究,主要包括如下内容: 1.为了实现光流体显微镜的超分辨率成像,提出一种利用TDI CMOS图像传感器进行过采样实现超分辨率成像的方法。研究TDI级数和过采样频率对原始图像与超分辨率成像结果相互映射关系的影响,通过Matlab仿真表明,TDI CMOS图像传感器的过采样频率变为M倍,灰度平均梯度大约下降至0.67M/2倍,运动方向上图像分辨率明显提高,输出图像信噪比提高了M1/2倍。 2.为了直接转换TDI CMOS图像传感器累加后的差分电压并提高信号的抗干扰能力,提出一种列并行全差分双斜坡ADC。该ADC利用一对采样电容的上极板进行差分输入采样,采样电容的下极板接基于电流舵结构产生的差分斜坡电压实现量化。在SMIC0.18μm CMOS工艺下实现10位的差分输入ADC,设计列宽为16μm,64列列处理电路的面积约为1.0mm×3.0mm,斜坡发生器面积约为1.0mm×0.7mm。时钟频率为20MHz,以19.49kS/s的采样频率对1.32kHz的输入进行采样,仿真得到SFDR为87.92dB,THD为-85.26dB,SINAD为-85.26dB,有效位数为9.84位。芯片测试结果显示,该ADC的DNL和INL分别为-0.7/+0.6LSB和-2.6/+2.1LSB。 3.为了提高TDI CMOS图像传感器的成像速度和精度,提出一种两步式逐次逼近(Successive Approximation Register,SAR)/单斜坡(Single-Slope,SS)ADC,其中,高位采用SAR的方式提高转换速率,低位采用SS的方式减小面积,同时对高位失配误差和分段误差进行校准。在UMC0.11μm CMOS工艺下实现了高6位SAR与低6位SS的12位SAR/SS ADC,芯片测试结果显示,无校准ADC以约20kS/s的采样频率对1.03kHz的输入进行采样,SNR为49.25dB,THD约为-62.83dB,SFDR为65.66dB,ENOB为7.86位。仿真对比了校准前后ADC的性能,经过校准的DNL和INL分别由-0.8/+0.7LSB和-1.7/+0.5LSB减小至-0.2/+0.2LSB和-0.33/+0.23LSB,SFDR提高24dB至89.57dB,THD减小19dB至-87.67dB,有效位数增加1位至11.86位。 4.为了提高TDI CMOS图像传感器中列并行ADC采样精度,提出一种适用于列并行电路的改进型栅压自举开关。利用源极跟随器在减小开关导通电阻的同时提高电路的可靠性,通过体效应补偿电路降低输入与导通电阻的相关性,在列共用偏置电路上增加控制开关以避免冗余功耗。使用UMC0.11μmCMOS工艺进行设计实现,仿真结果表明与传统结构相比,开关导通电阻降低了约28.6%,输入范围内电阻变化率小于1.2%,有效位数提高了1位,而面积只增加了15%。芯片测试结果显示,以20MS/s的采样频率对1.97MHz的输入进行采样,SNR、SFDR和ENOB分别为85.8dB、71.1dB和11.5位。 本文深入研究了应用于光流体显微镜中TDI CMOS图像传感器的关键技术,提出了超分辨率成像方法,研究了满足应用需求的ADC及其主要电路,为实现便携式光流体显微镜打下坚实的基础。

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