声明
摘要
1 前言
1．1 研究背景及意义
1．2 高k栅介质和金属栅电极概述
1．2．1 采用高k栅介质必要性
1．2．2 高k栅介质选用要求
1．2．3 高k栅介质研究进展
1．2．4 采用金属栅电极必要性
1．2．5 金属栅电极选用要求
1．2．6高k／金属栅研究进展
1．3 本文的主要工作
1．4 小结
2 器件结构及工作原理
2．1 短沟道下传统栅极结构存在的问题
2．2 高k／金属栅SOI NMOSFET器件结构及工作原理
2．3 小结
3 TaCN／La2O3栅极结构短沟道SOI NMOSFET仿真及性能分析
3．1 仿真软件及物理模型
3．2 短沟道下传统栅结构与TaCN／La2O3栅结构电学性能比较
3．3 短沟道下TaCN／La2O3栅结构SOI NMOSFET电容特性分析
3．4 小结
4 Ti+TaCN／La2O3栅结构短沟道SOI NMOSFET仿真及性能分析
4．1 Ti+TaCN／La2O3短沟道SOI NMOSFET电学仿真及性能分析
4．2 小结
5 结论
致谢
参考文献
附录：在校期间发表的论文
