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基于新型铜互连扩散阻挡层的无籽晶电镀铜的研究

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目录

摘要

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 新型互连扩散阻挡层的研究进展

1.2.1 新型互连扩散阻挡层的特征

1.2.2 新型互连扩散阻挡层的研究现状

1.3 互连中的电镀工艺

1.3.1 电镀铜的工艺原理

1.3.2 电镀液对镀层性质的影响

1.3.3 电镀薄膜生长成核方式

1.3.4 电镀铜在铜互连中面临的挑战

1.4 扩散阻挡层上无Cu籽晶电镀的研究进展

1.4.1 Ta上无籽晶电镀Cu

1.4.2 Ru基阻挡层上的无籽晶电镀Cu

1.4.3 Mo上无籽晶电镀Cu

1.4.4 Co上无籽晶电镀Cu

1.5 互连中的化学机械抛光工艺

1.6 本论文的研究目的与内容

参考文献

第二章 实验仪器及方法简介

2.1 本工作重要实验设备介绍

2.1.1 物理气相淀积(PVD)系统

2.1.2 电化学工作站

2.1.3 化学机械抛光机

2.1.4 其他实验仪器

2.2 实验方法

2.2.1 实验流程

2.2.2 常用测试方法

2.2.3 样品表征方法

2.3 Imagetool软件介绍

2.4 实验耗材

参考文献

第三章 Co上无籽晶电镀Cu的研究

3.1 引言

3.2 酸性电镀液中Co上无籽晶电镀Cu

3.2.1 样品设计及实验

3.2.2 Co表面氧化钴的还原

3.2.3 酸性电镀液中Co上电镀Ca过程研究

3.2.4 超薄Cu籽晶层对Co在酸性溶液中电镀Cu的影响

3.2.5 小节

3.3 乙二胺电镀液中Co上的无籽晶电镀Cu

3.3.1 样品设计及实验

3.3.2 乙二胺电镀液中的络合物

3.3.3 Co在电镀液中的腐蚀

3.3.4 Co在En电镀液中的线性伏安曲线

3.3.5 Cu在Co表面成核机理的研究

3.3.6 电流密度对Cu表面形貌和电阻率的影响

3.3.7 电镀铜薄膜的形貌和组分表征

3.3.8 Cu在沟槽中的填充

3.3.9 小结

3.4 本章小结

参考文献

第四章 超薄Mo膜上无籽晶电镀Cu研究

4.1 引言

4.2 Mo与Cu粘附性

4.3 Mo在电镀液中的电化学曲线

4.4 Mo在电镀液中的腐蚀

4.5 Mo上Cu的成核

4.5.1 电流瞬态曲线及理论曲线的比较

4.5.2 不同电镀液中Mo上Cu成核SEM图比较

4.6 Mo上直接电镀Cu膜的性能表征

4.6.1 不同电镀液中电镀Cu膜的形貌

4.6.2 Mo上电镀Cu膜的择优取向

4.7 在Mo沟槽图形片中的填充

4.8 本章小结

参考文献

第五章 单层CoMo扩散阻挡层的直接电镀铜及其化学机械抛光的研究

5.1 引言

5.2 不同比例单层CoMo薄膜特性表征

5.3 不同比例CoMo薄膜上Cu的成核密度比较

5.4 CoMo合金上Cu镀层的特性

5.5 不同比例CoMo合金上Cu膜的晶向及自退火现象

5.6 CoMo合金沟槽中的Cu填充

5.7 CoMo合金的抛光研究

5.7.1 双氧水浓度的影响

5.7.2 甘氨酸对Co1Mo3静态腐蚀及抛光速率的作用

5.7.3 Co1Mo3和Cu之间的电偶腐蚀

5.8 本章小结

参考文献

第六章 全文总结及展望

6.1 全文总结

6.2 展望

致谢

读博期间第一作者发表的论文

附录

声明

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摘要

随着集成电路特征尺寸不断缩小,传统的Ta/TaN已经不能满足工艺发展的需要。Co、Mo以及一些新型合金材料由于具有较低的电阻率、与Cu的粘附性好等优点,被用来研究作为下一代的粘附层/阻挡层材料。但是基于这些新型材料上的无籽晶电镀铜的研究却十分缺乏。本论文针对Co、Mo、以及本实验室提出的CoMo新型阻挡层上的无籽晶电镀铜进行了系统的研究。
  论文首先开展了在超薄Co薄膜上的酸性电镀液中电镀Cu研究。首先对Co的氧化物还原进行了研究,结果表明,在四甲基氢氧化胺溶液中利用负电位扫描能够还原Co表面氧化物。Co在传统的商用酸性电镀液中恒电流法直接电镀Cu由于存在强烈腐蚀和置换反应,难以进行,但是当采用负电位带电入槽法可以实现在Co表面电镀Cu,扫描电子显微形貌表明,电镀后Co与Cu的界面处存在空隙。当在Co表面淀积3nm Cu后,能够有效地降低Co在酸性电镀液中的腐蚀,但是仍然存在明显腐蚀。
  论文然后研究在乙二胺作为络合剂的碱性电镀液中的超薄Co上的无Cu籽晶电镀。研究了电镀液中En和Cu离子形成的络合物种类,发现由于电镀液中CuEn22+络合物的形成阻止了Co上的置换反应和腐蚀。用电化学曲线、静态腐蚀和透射电子显微镜等多种方法系统研究了Co在碱性电镀液中的腐蚀。结果显示,Co在碱性电镀液中的腐蚀要小于5(A),符合下一代超薄阻挡层在电镀液中的腐蚀要求。系统研究了Cu在Co上电化学沉积行为和成核机理。Cu在Co上的成核并不符合一个简单的瞬间成核或者连续成核模型,Cu在Co上具有5×1010cm-2的高成核密度。实验结果表明,在一定电流密度范围内,较大电流密度利于得到一个表面光滑、电阻率较低的Cu膜,Cu薄膜具有很高的Cu(111)择优取向。电镀Cu层和Co薄膜之间有良好的界面。我们在MIT754图形片上淀积10 nm Co后,成功直接电镀Cu层,且在沟槽中填充良好。
  论文首次开展了在新型超薄Mo粘附层上的直接电镀铜工艺和性能研究。首先研究了Mo在不同pH值的电镀液中的腐蚀,结果表明Mo在乙二胺碱性电镀液中的腐蚀速率最小。研究了乙二胺电镀液中Cu在Mo上成核机理及成核密度。结果表明,Cu在Mo上的是三维成核,成核初期表现为瞬间成核的特征,在碱性电镀液中的成核密度为1×1010cm-2,比Co略低,但是要比酸性电镀液中大很多。我们在MIT754图形片上淀积10 nm Mo后,采用两步电镀法,即首先采用碱性电镀一层Cu后,再采用传统的商用电镀液电镀Cu,实现了对沟槽的无空隙填充。
  论文首次在本实验室提出的新型阻挡层材料CoMo合金上的无籽晶电镀Cu进行了研究。首先研究了不同Co、Mo比例的CoMo合金样品的结晶状态、电阻率,然后研究了Co,Co3Mo1,Co1Mo1,Co1Mo3和Mo五种薄膜在电镀液中的沉积电位以及Cu在上面的成核密度。结果显示,随着Co含量增大,Cu在Co含量高的CoMo合金上成核密度高,且Cu晶核体积小,而在得到的Cu膜的表面也较光滑。电镀后样品的自退火过程中,发现CoMo合金上铜膜的薄层电阻下降速率显著比Co,Mo薄膜上铜膜的电阻下降速率大,其中Co1Mo3上铜薄膜电阻下降速率最大。最后在MIT754图形片上对淀积不同CoMo合金的沟槽实现了填充,SEM和TEM图表明可以很好地实现在CoMo合金沟槽中的填充。
  为了促进CoMo新型阻挡层的真正应用,论文还对Co1Mo3的抛光性能进行了初步研究。发现无论是在pH=3或者是pH=10的抛光液中,随着双氧水的浓度的增加,静态腐蚀速率增大。图形片上的抛光实验表明,过高的双氧水浓度会造成沟槽边缘阻挡层和Cu界面的阻挡层的钻蚀。通过选择合适的双氧水的浓度,可以很好的控制Co1 Mo3与Cu的腐蚀比,获得良好抛光界面,这对真正抛光工艺有指导意义。实验发现,发现随着甘氨酸的加入,Co1Mo3抛光速率出现了先减小后增大。实验还发现,甘氨酸能够有效地降低Co1Mo3与Cu的腐蚀电位差,当加入0.1M甘氨酸时,腐蚀电位差只有67mV。

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