基于钴硅化物电迁移现象的新电熔丝结构设计

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为了提高集成电路的生产率，避免芯片中部分器件失效而导致整个电路失效，而引入了基于熔丝技术的冗余技术。电编程熔丝（eFUSE）以其体积小、成本低廉、可缩小性强、可以在封装之后再进行配置等众多优点，因而其在现代集成电路设计中扮演着越来越重要的角色。本文首先总结了eFUSE 当前的国内外研究现状，深入分析了影响熔丝结构的各项参数，并且对现有结构进行深入分析，指出当前结构存在的瓶颈问题，并且提出了结构优化的具体方案。接着对项目方案进行规划，按照进度对各种改进方案进行制造、测试、数据收集和整理、结果的SEM 观察，分析第一轮结构设计中的利弊，综合考虑用于第二轮结构开发。最后，设计出eFUSE的优化器件结构实例，经过数据测试和温度加速失效可靠性验证，该优化结构熔断率高、熔断后电阻值大、分布窄，可靠性高。

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作者
林昆;
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作者单位

上海交通大学;

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授予单位上海交通大学;
学科软件工程
授予学位硕士
导师姓名何波涌;
年度 2008
页码
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原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类隔离技术;
关键词
钴硅化物; 电编程熔丝; 集成电路; 电迁移现象; 结构设计;

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