用于GaAs基量子级联激光器的欧姆接触新结构、工艺与测量

摘要

ABSTRACT

第一章 绪论

1.1 研究背景

1.2 研究目的

1.3 研究意义

第二章 材料选择

2.1 基本介绍

2.2 基本体系

2.3 扩散阻挡层

2.4 使用低温砷化镓生长的非合金化欧姆接触

2.5 本章小结

第三章 欧姆接触的制作

3.1 光刻

3.2 腐蚀

3.3 快速热退火

3.4 Lift-off

3.5 表面处理

3.6 金属淀积

3.7 n-GaAs 欧姆接触实验流程

3.8 本章小结

第四章 测量工艺

4.1 欧姆接触的测量

4.2 电接触连接的改良

4.3 本章小结

第五章 方案与总结

5.1 Ge/Au/Ag/Au

5.2 Pd/Ge/Pd/Au

5.3 低温生长砷化镓系统

5.4 本章小结

第六章 全文总结

6.1 主要工作和成果

6.2 研究展望

参考文献

图片目录

表目录

附录一 相关基本理论

1 金属——半导体界面

2 接触电阻率

附录二 GaAs 半导体中欧姆接触相关元素的二元相图

致谢