摘要
第1章绪论
1．1稀Bi半导体的应用前景
1．2稀Bi半导体研究的现状和意义
1．3光致发光(Photoluminescence，PL)光谱研究基础
1．4本文主要研究内容
第2章光致发光光谱原理及实验方法
2．1半导体的电子跃迁与光致发光
2．2 PL光谱实验方法
2．2．1 FTIR光谱仪及FTIR-PL光谱方法
2．2．2真空杜瓦与低温条件
2．2．3液氦磁光-PL光谱实验系统
2．3本章小结
第3章泵浦光斑尺寸对GaAs1-xBix光谱线型的影响
3．1实验描述
3．2激发功率不变条件下的变光斑尺寸PL光谱
3．3功率密度不变时变光斑尺寸对光谱信噪比的影响
3．4本章小结
第4章多变条件PL光谱研究GaAs1-xBix带边电子结构
4．1 GaAsBi的低温PL光谱
4．2 GaAs1-xBix的激发功率依赖性PL光谱
4．3 GaAs1-xBix液氦磁光-PL光谱
4．4 GaAs1-xBix的温度依赖性
4．4本章小结
第5章GaAs1-xBix相关新结构光学性质初探
5．1 GaAs1-xBix应变层对InAs QDs光学特性影响
5．2多层GaAs1-xBix结构初步探究
5．3本章小结
6．1结论
6．2下一步工作设想
参考文献
攻读学位期间取得的研究成果
致谢
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