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EDI去除高纯水中弱离子化杂质和185nmUV降解水中有机物的研究以及半导体工艺中排放废气的治理及检测

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研究计划

第Ⅰ部分绪论

第一章前言

第一节高纯水中弱离子化杂质和有机物的危害及其要求

第二节高纯水中弱离子化杂质(硅、硼、氨和CO2)和有机物去除方法一高纯水新技术

第三节EDI的发展、原理和对弱离子化杂质去除研究概况

第四节185nmUV降解水中有机物研究现状

第五节半导体工艺中排放废气的治理及检测

第六节本课题研究的意义和内容

第二章理论基础

第一节EDI去除水中弱离子化杂质理论基础

第二节185nmUV降解水中有机物的理论基础

第三章实验部分

第一节实验设备、试剂和装置

第二节分析检测方法

第三节实验内容

第Ⅱ部分EDI去除高纯水弱离子化杂质的研究

第四章EDI膜堆电阻的研究

第一节EDI膜堆电阻的理论研究

第二节EDI电压/电流、进水流量、进水电导对膜堆电阻的影响

第三节小结

第五章EDI去除高纯水中弱离子化杂质的研究

第一节EDI去除高纯水中硅的研究

第二节EDI去除高纯水中硼的研究

第三节EDI去除水中氨的研究

第四节EDI去除水中CO2的研究

第五节小结

第六章EDI除去水中弱离子化杂质的物种形态研究

1理论基础

2实验部分

3实验结果与讨论

第Ⅲ部分185nmUV降解水中有机物的研究

第七章185nmUV降解水中有机物的研究

第一节185nmUV降低高纯水中的TOC浓度研究

第二节185nmUV降解水中对氯苯酚(4-CP)、对硝基苯酚(4-NP)和罗丹明B(Rh B)的研究

第三节小结

第八章185nmUV降解水中有机物的动力学分析与研究

第一节185nmUV降解有机物的动力学理论模型分析

第二节185nmUV降解水中4-CP、4-NP和Rh B动力学分析

第三节185nmUV降解水中有机物反应速率常数(k)理论分析

第四节影响185nmUV降解水中有机物反应速率常数的因素

第五节小结

第九章185nmUV降解水中有机物机理的研究

第一节185nmUV光解超纯水的研究

第二节185nmUV降解水中4-CP机理的研究

第三节185nmUV降解Rh B机理的研究

第四节小结

第Ⅳ部分半导体工艺中排放废水的治理及检测

第十章半导体工艺中排放废气的治理及检测

第一节半导体工艺中排放废气的治理

第二节半导体生产排放的废气中砷和磷的检测

第三节小结

第V部分结语

第十一章结论与展望

第一节结论

第二节展望

参考文献

攻读博士学位期间已发表或待发表论文

致谢

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摘要

本论文研究了两种高纯水新技术EDI(Electrodeionization)和185nmVU(Vacuum Ultraviolet)来去除水中的弱离子化杂质.研究包括:第一部分,研究EDI去除水中弱离子化杂质(硅、硼、氨和CO<,2>)及其去除机理;第二部分,研究185nmUV降低高纯水的TOC(总有机碳,Total Organic Carbon)以及以4-CP(4-Chlorophenol,对氯酚)、4-NP(4-nitrophenol,对硝基酚)和Rh B(Rhodamine B,罗丹明B)为模型有机物研究185nmUV降解水中有机物的动力学及其降解机理.同时,还对半导体工艺中排放废气的治理及检测进行了研究.本研究在实际工艺应用,可制备低浓度硅、硼、NH<,3>、CO<,2>和TOC的高纯水,满足目前超大规模集成电路用水的要求.

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