摘要
Abstract
第一章绪论
参考文献
第二章高速沉积稳定的非晶硅薄膜材料的研究
§2.1 PECVD沉积非晶硅的机理
§2.2高速生长稳定非晶硅薄膜材料的理论分析
§2.2实验
2.3.1 VHF-PECVD沉积设备与电源系统
2.3.2实验条件和实验内容
§2.4结果和讨论
2.4.1衬底温度对a-Si：H薄膜的影响
2.4.2反应气体压强对a-Si：H薄膜的影响
2.4.3等离子体功率密度对a-Si：H薄膜的影响
2.4.4 VHF-PECVD在太阳能电池上的应用
2.4.5 VHF-PECVD等离子体辉光光谱的在线监测
§2.5小结
参考文献
第三章在相变区沉积高稳定性的非晶硅材料
§3.1实验
§3.2结果和讨论
3.2.1过渡区的寻找
3.2.2温度对材料晶化的影响
3.2.3功率对晶化率的调制作用，以及氧在非晶硅和微晶硅材料中掺杂效应的初探
3.2.4高速沉积高稳定性的相变区材料
§3.3小结
参考文献
第四章 a-Si太阳电池陷光结构的计算机模型
§4.1简介
§4.2模型
§4.3结果和讨论
§4.4小结
参考文献
致谢
