声明
第1章 文献综述
1.1引言
1.2半导体光解水制氢的原理
1.3光电催化(PEC)分解水制氢
1.4氧化亚铜(Cu2O)的性质及研究进展
1.5原子层沉积的研究
1.6本文的选题意义及工作设想
第2章 实验方法
2.1实验试剂及仪器
2.2基本表征方法
2.3光电阴极性能表征
2.4产氢效率测试
第3章 氧化亚铜同质结光电阴极的制备及光电制氢性能
3.1引言
3.2氧化亚铜同质结的制备
3.3结果与讨论
3.4同质结和肖特基结能带结构
3.5 ALD对Cu2O半导体表面元素价态的影响
3.6本章小结
第4章 氧化镍空穴传输层修饰的氧化亚铜光电阴极光电制氢性能
4.1引言
4.2 Cu2O/NiO光电阴极的制备
4.3结果与讨论
4.4 NiO空穴传输层修饰的Cu2O光电阴极空穴传输机理
4.5本章小结
第5章 结论与展望
5.1结论
5.2本论文创新点
5.3研究展望
参考文献
发表论文和参加科研情况说明
致谢