非均匀铁磁性半导体薄膜/单晶硅异质结构的电输运特性

声明

摘要

第一章 绪论

1．1 GMR的原理及发展

1．1．1 GMR效应产生的基本结构

1．1．2 GMR效应的应用

1．2 材料的铁磁性

1．3 非均匀磁性掺杂半导体的电输运特性研究

1．3．1 Co掺杂的ZnO薄膜的巨磁电阻效应

1．3．2 Co／ZnO薄膜的结构和磁电阻效应

1．3．3 Zn1-xFexO1-V磁性半导体薄膜的电输运特性

1．3．4 Co掺杂ZnO的正磁电阻效应

1．3．5 过渡金属掺杂ZnO薄膜的巨磁电阻效应

1．3．6 非均匀半导体薄膜的巨磁电阻效应

1．4 本论文的主要工作

第二章 样品的制备、结构表征和物性测量

2．1 薄膜的制备

2．2 结构表征、磁性和输运特性测量

2．2．1 原子力显微镜(AFM)

2．2．2 X射线光电子能谱(XPS)

2．2．3 台阶仪

2．2．4 物理参数测量系统

2．2．5 透射电子显微镜(TEM)

第三章 非晶态Ni-CNx-Si异质结构的物性

3．1 非晶态Ni-CNx薄膜的微观结构和成份

3．2 Ni-CNx-Si异质结构的电输运特性

3．2．1 Ni-CNx-Si异质结构的I-V曲线

3．2．2 Ni-CNx-Si异质结构的磁电阻效应

3．3 本章小结

第四章 TiCoO／p-Si异质结构的物性

4．1 TiCoO／p-Si异质结构的表面形貌

4．2 TiCoO／p-Si异质结构的的磁性

4．3 TiCoO／p-Si异质结构的电输运特性

4．4 本章小结

第五章 结论

参考文献

发表论文和科研情况说明

致谢