声明
致谢
摘要
1 绪论
1.1 课题应用背景
1.2 光刻技术简介
1.3 课题研究现状
1.4 本文的研究内容与创新点
2 厚胶光刻工艺原理
2.1 曝光工艺
2.2 烘烤工艺
2.3 显影工艺
2.4 光刻系统
3 光吸收镀膜的设计与制备
3.1 引言
3.2 光吸收器膜系设计
3.2.1 初始膜系设计
3.2.2 模拟退火算法优化
3.2.3 膜系角度特性
3.2.4 膜系电场强度分布和吸收特性
3.2.5 膜系敏感度
3.2.6 Ge/SiO2和Ir/SiO2光吸收膜系
3.3 实验结果与讨论
3.4 本章小结
4 厚胶光刻工艺的优化
4.1 匀胶工艺的优化
4.1.1 边胶去除
4.1.2 膜厚控制
4.1.3 双层甩胶工艺
4.2 烘烤工艺的优化
4.2.1 前烘温度设计
4.2.2 烘烤热应力的消除
4.3 曝光工艺优化
4.3.1 曝光剂量对台阶形貌的影响
4.3.2 光刻胶对比度曲线的测定
4.3.3 光刻胶透射串曲线的测定
4.4 显影工艺的优化
4.4.1 厚胶显影速率的测定
4.4.2 台阶形貌的变化
4.5 组合优化实验
4.6 本章小结
5 总结与展望
参考文献
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