磁控溅射沉积氧化铟薄膜及其TFT器件应用研究

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第一章 绪论

1.1 In2O3材料及薄膜晶体管的研究现状

1.1.1 In2O3薄膜材料现状

1.1.2 薄膜晶体管以及基于In2O3薄膜晶体管现状

1.2 磁控溅射沉积薄膜的原理

1.3 磁控溅射生长In2O3薄膜的背景

1.4 本文研究的内容

第二章 射频磁控溅射生长In2O3薄膜

2.1 使用的磁控溅射仪器介绍

2.1.1 设备组成

2.2 In2O3薄膜生长

2.2.1 溅射气体

2.2.2 其他生长参数

2.3 磁控溅射操作流程

2.3.1 玻璃清洗步骤

2.3.2 磁控溅射仪器详细操作步骤

2.4 小结

第三章 In2O3薄膜的物理特性表征

3.1 测试方法介绍

3.1.1 XPS原理

3.1.2 AFM测表面形貌以及SEM观察式样形貌的原理

3.1.3 X射线衍射(XRD)原理

3.1.4 紫外分光光度计

3.1.5 霍尔效应原理

3.2 测试结果及分析

3.2.1 XPS测试结果及分析

3.2.2 AFM及SEM测试结果及分析

3.2.3 XRD测试结果及分析

3.2.4 透射谱测试结果分析

3.2.5 霍尔效应测试结果及分析

3.3 小结

第四章 In2O3 TFT器件

4.1 In2O3 TFT的工作原理

4.1.1 线性区

4.1.2 饱和区

4.1.3 TFT主要参数

4.2 In2O3 TFT的结构

4.3 底栅式In2O3 TFT器件的制作

4.4 底栅式In2O3 TFT性能测试

4.5 小结

第五章 工作总结和展望

参考文献

作者简历