p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的制备与性能研究

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第1章绪论

1.1透明氧化物半导体的研究背景

1.2p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的研究进展

1.3 p型铜铁矿结构透明氧化物半导体薄膜的制备方法

1.3.1脉冲激光沉积

1.3.2溅射沉积

1.3.3化学气相沉积

1.4本论文研究思路和内容

第2章薄膜样品的制备及表征方法

2.1薄膜的制备工艺

2.1.1本文所用磁控溅射设备介绍

2.1.2磁控溅射基本原理

2.2薄膜的结构表征和物理性能测量

2.2.1薄膜的厚度测量

2.2.2薄膜的结构表征

2.2.3薄膜的表面形貌分析

2.2.4薄膜的成分与元素价态分析

2.2.5薄膜的光学性能测量

2.2.6薄膜的电学性能测量

2.3本章小结

第3章 CuAlO2的掺杂改性研究

3.1引言

3.2 CuAlO2掺杂Cu2+薄膜的性能研究

3.2.1样品制备

3.2.2实验结果与讨论

3.2.3结论

3.3 CuAlO2掺杂Fe3+的性能研究

3.3.1样品制备

3.3.2实验结果与讨论

3.3.3结论

3.4本章小结

第4章 CuCrO2薄膜的制备与性能研究

4.1引言

4.2样品制备

4.3 CuCrO2薄膜的结构与成分分析

4.4退火处理对CuCrO2薄膜性能的影响

4.4.1退火对CuCrO2薄膜结构的影响

4.4.2退火对CuCrO2薄膜光电性能的影响

4.4.3退火对CuCrO2薄膜表面形貌的影响

4.5原位沉积温度对CuCrO2薄膜性能的影响

4.6 N掺杂对CuCrO2薄膜性能的影响

4.6.1引言

4.6.2样品制备

4.6.3实验结果与讨论

4.7本章小结

第5章 CuNdO2与AgAlO2的制备与性能研究

5.1引言

5.2 CuNdO2与AgAlO2的制备与性能研究

5.2.1 CuNdO2与AgAlO2的制备方法

5.2.2 CuNdO2与AgAlO2的结构与性能表征

5.3本章小结

结论

参考文献

攻读硕士学位期间发表的学术论文

致谢