InGaN/GaN发光二极管的数学物理模型和特性及最优驱动电流研究

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目录

1 绪 论

1.1 本课题研究作用与意义

1.2 InGaN/GaN LED的研究现状

1.4 本文研究内容和章节安排

2 InGaN/GaN LED的基本物理特性

2.1 引言

2.2 InGaN/GaN多量子阱蓝光LED物理基础

2.3 InGaN/GaN LED电光转换物理过程

2.4 InGaN/GaN LED电光热特性

2.5 小结

3 单芯InGaN/GaN LED的数学物理模型和特性研究

3.1 引言

3.2 PWM驱动电流技术

3.3 单芯InGaN/GaN LED的电光热特性试验研究

3.4 单芯InGaN/GaN LED的数学物理建模

3.5 单芯InGaN/GaN LED的微观仿真分析

3.6 单芯InGaN/GaN LED特性的微观机理解释

3.7 小结

4 多芯InGaN/GaN LED的数学物理模型和特性研究

4.1 引言

4.2 多芯InGaN/GaN LED的数学物理建模

4.3 多芯InGaN/GaN LED模型的参数优化

4.4 多芯InGaN/GaN LED特性的试验研究

4.5 多芯InGaN/GaN LED的可靠性分析

4.6 小结

5 电光热耦合下的InGaN/GaN LED最优驱动电流研究

5.1 引言

5.2 单芯InGaN/GaN LED电流-光通量特性的简化模型及其驱动电流分析

5.3 多芯InGaN/GaN LED电流-结温特性的简化模型及电流控制

5.4 基于多芯InGaN/GaN LED和最优驱动电流的应用实例

5.5 小结

6 总结与展望

6.1 结论

6.2 前景与展望

致谢

参考文献

附 录