基于钛酸锶钡/锆钛酸铅铁电光子晶体的太赫兹波光调制特性的研究

声明

1 绪论

1.1 太赫兹波技术的概述

1.2 太赫兹波调制技术的研究与进展

1.2.1 太赫兹波通信与调制技术

1.2.2 太赫兹波调制技术的分类

1.3 论文主要研究内容及创新点

1.3.1 论文主要研究内容及结构安排

1.3.2 论文主要创新点

2 基于铁电材料的太赫兹波调制的理论研究

2.1 铁电材料及其应用的概述

2.1.1 铁电材料的结构与特性

2.1.2 铁电材料的应用

2.2 铁电材料在太赫兹波段介电响应的理论研究

2.2.1 德拜（Debye）弛豫模型介电频谱

2.2.2 洛伦兹（Lorentz）阻尼谐振子模型介电频谱

2.3 铁电材料光调制理论研究

2.3.1 光生伏特效应

2.3.2 光折变效应

2.4 本章小结

3 基于锆钛酸铅、钛酸锶钡薄膜的太赫兹波光调制性能的研究

3.1 铁电薄膜的制备及表征方法

3.1.1 铁电薄膜的制备

3.1.2 表征方法

3.2 单层锆钛酸铅（PZT）超薄膜的太赫兹波光泵浦调制

3.2.1 单层PZT超薄膜的结构与表征

3.2.2 太赫兹波时域谱测量及数据提取

3.2.3 PZT超薄膜介电可调性与软模的分析

3.2.4 PZT超薄膜可调性与线性光电效应

3.2.5 PZT超薄膜的调制度与正切损耗角

3.3 Ba0.7Sr0.3TiO3/SrTiO3双层膜的太赫兹波光泵浦调制

3.3.1 薄膜材料结构表征和太赫兹波透过率的光调制

3.3.2 Ba0.7Sr0.3TiO3/SrTiO3双层膜的介电可调性与软模

3.3.3 Ba0.7Sr0.3TiO3/SrTiO3双层膜的光学性能可调性

3.3.4 Ba0.7Sr0.3TiO3/SrTiO3双层膜的铁电性

3.4 本章小结

4 基于退火温度对BST/PZT光子晶体的太赫兹波光调制性能的研究

4.1 样品的制备及表征方法

4.1.1 样品的制备

4.1.2 表征方法

4.2 不同退火温度对BST/PZT光子晶体的材料结构的影响

4.3 不同退火温度对BST/PZT光子晶体的光调制性能的影响与分析

4.4 本章小结

5 基于BST/PZT光子晶体的太赫兹波光电混合调制性能的研究

5.1 电极的选择和制备

5.2 基于BST/PZT光子晶体的光电混合调制的结果与分析

5.2.1基于532 nm光泵浦电偏压的调制结果与分析

5.2.2基于1064 nm光泵浦电偏压的调制结果与分析

5.3 本章小结

6 总结和展望

致谢

参考文献

附录1 攻读博士期间发表的论文