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冯尧尧;
华中科技大学;
MOSFET; InGaAs; 特性模拟; 介质界面;
机译:利用X射线光电子能谱研究InGaAs和GaAs与化学气相沉积高k栅极电介质集成的界面特性
机译:高k HfOxNy栅介质膜的结构和界面特性
机译:HfSi_xO_y界面层效应对改善超薄高K TiO_2栅介质的电特性的影响
机译:高κAl2O3栅介质的SiC MOS的界面特性研究
机译:用于非易失性存储器应用的高k电介质和金属栅电极的研究。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:后退火对金属有机化学气相沉积在硅上制备的ZrO2栅介质的体积和界面特性的影响
机译:高载流子迁移率InGaas化合物半导体和GaN的高电介质 - 生长,界面结构研究和表面费米能级解旋
机译:高k栅介质的半导体结构俘获杂质氧以及形成结构的方法(高k栅介质的捕获金属堆)
机译:具有良好界面特性的超薄高K栅极电介质,可改善半导体器件的性能
机译:作为氟钝化的一种方式,是利用空的高k电介质形成F基栅刻蚀来进行patsushibeto来进行高k /
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