声明
第1章 绪论
1.1 LED研究进展
1.2 硅衬底GaN基LED的发展
1.3 GaN基LED的特性
1.3.1 GaN基LED量子效率
1.3.2 GaN基LED效率衰退
1.3.3 GaN基LED复合机制
1.4 GaN基LED空穴注入效率的改善
1.4.1 AlGaN层的作用
1.4.2 V形坑的作用
1.5 本文论文章节安排
第2章 Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及性能表征方法
2.1 GaN基绿光LED外延生长和芯片制备
2.2 GaN基LED性能表征技术
（1）高分辨率 X射线衍仪（ HRXRD）
（2）荧光显微镜（ FL）
（3）二次离子质谱仪（ SIMS）
（4）变温电致发光测试技术（ VTEL）
（5）扫描电子显微镜（ SEM）
第3章 P-AlGaN层厚度对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响
3.1 引言
3.2 实验
3.3 结果与讨论
3.3.1 p-AlGaN厚度变化对器件EQE的影响
3.3.2 p-AlGaN厚度变化对器件低温EL的影响
3.4 本章小结
第4章 P-AlGaN层生长气压对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响
4.1 引言
4.2 实验
4.3 结果与讨论
4.3.1 生长气压对外延结构特性及表面形貌分析
4.3.2 生长气压对C杂质元素的影响
4.3.3 生长气压对LED光电性能的影响
4.3.4 生长气压对LED低温特性的影响
4.4 本章小结
第5章 末垒AlGaN层对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响
5.1 引言
5.2 实验
5.3 结果与讨论
5.3.1 末垒AlGaN对LED光电性能的影响
5.3.2 末垒AlGaN对LED低温性能的影响
5.4 本章小结
第6章 总结
致谢
参考文献
攻读学位期间的研究成果
