基于金属氧化物半导体的电子器件集成

声明

摘要

第1章 绪论

1．1 n型氧化物半导体IGZO

1．1．1 历史

1．1．2 光电性能

1．1．3 目前的应用

1．2 p型氧化物半导体SnO

1．2．1 历史

1．2．2 光电性能

1．2．3 与其他p型金属氧化物的对比

1．2．4 目前的应用

1．3 介质Ta2O5

1．4 研究动机

第2章 氧化物半导体器件

2．1 薄膜晶体管(TFT)

2．1．1 历史

2．1．2 工作原理

2．1．3 非理想TFT

2．2 肖特基势垒二极管(SBD)

2．2．1 历史

2．2．2 工作原理

2．3 MIM二极管

2．3．1 历史

2．3．2 工作原理

2．3．3 应用

第3章 实验制备、表征与测量

3．1 衬底清洗

3．2．1 所需工具

3．2．2 所用洗液

3．2．3 工具的清洗

3．2．4 衬底具体清洗步骤

3．2 溅射

3．3．1 工作原理

3．3．2 设备介绍

3．3．3 防止靶材碎裂

3．3 电子束蒸发

3．5．1 工作原理

3．5．2 设备介绍

3．5．3 腔体的清洁

3．4 热蒸发

设备介绍

3．5 扫描电子显微镜

3．6．1 设备介绍

3．6．2 工作原理

3．6 Shadow Mask

3．7 紫外曝光

3．7．1 历史

3．7．2 光刻胶

3．7．3 显影液

3．7．4 光刻板

3．7．5 光刻机

3．7．6 光刻流程

3．8 电子束曝光

3．8．1 工作原理

3．8．2 设备介绍

3．9 ICP干法刻蚀

3．9．1 历史

3．9．2 工作原理

3．9．1 设备介绍

第4章 实验部分

4．1 AR-P 5350光刻工艺条件的摸索

4．1．1 硅衬底上的光刻工艺条件的摸索

4．1．2 PEN衬底上光刻工艺的改进

4．1．3 小结

4．2 IGZO干法刻蚀条件的摸索

4．2．1 样品准备

4．2．2 刻蚀工艺摸索过程

4．2．3 小结

4．3 IGZO TFT

4．3．1 实验步骤

4．3．2 结果与讨论

4．3．3 小结

4．4 SnO SBD

4．4．1 欧姆电极材料的选择

4．4．2 肖特基电极材料的选择

4．4．3 不同结构对SnO SBD的影响

4．4．4 不同肖特基金属和界面处理对整流特性的影响

4．4．5 不同厚度的SnO对SnO SBD的影响

4．4．6 Al-SnO接触的能带结构

4．4．7 小结

4．5 Ta2O5 MIM二极管

4．5．1 实验步骤

4．5．2 实验结果与比较

4．6 无源13．56 MHz RFID标签电源

第5章 总结和展望

参考文献

致谢

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