声明
第一章 绪 论
1.1 选题背景
1.2 脉冲功率开关的研究现状和发展态势
1.3 4H-SiC GTO晶闸管的国内外研究进展
1.4 本文的主要工作
第二章 脉冲功率系统与开关器件研究
2.1 电容储能型脉冲放电电路
2.2 4H-SiC材料特性和物理模型
2.2.1 晶体结构
2.2.2 碰撞电离率模型
2.2.3 迁移率模型
2.2.4 不完全离化模型
2.2.5 SRH复合及俄歇复合模型
2.2.6 禁带宽度变窄模型
2.3.1 器件结构
2.3.2 正向导通特性
2.3.3 正向阻断特性及触发过程
2.4 4H-SiC GTO与Si GTO晶闸管的器件机理及性能对比
2.4.1 导通性能
2.4.2 温度依赖性
2.4.3 开关速度
2.4.4 应用领域
2.5 P型及N型4H-SiC GTO晶闸管的器件机理及性能对比
2.5.1 导通性能
2.5.2 阻断电压
2.5.3 制作工艺
2.6 本章小结
第三章 4H-SiC GTO晶闸管的设计与优化
3.1 元胞设计与优化
3.1.1 静态性能优化
3.1.2 脉冲放电性能优化
3.2 结终端设计与优化
3.2.1 结终端设计理论
3.2.2 本文结终端的设计和优化
3.3 工艺流程及版图设计
3.3.1 工艺流程设计
3.3.2 版图设计
3.4 本章小结
第四章 带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管
4.1 器件结构及工作原理
4.2 静态特性分析
4.3.1 窄脉冲放电
4.3.2 宽脉冲放电
4.4 本章小结
第五章 工作总结与展望
5.1 本文工作总结
5.2 工作展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的研究成果
