垂直结构氮化镓肖特基二极管的研究

声明

摘要

第一章绪论

1．1 引言

1．2 GaN的晶体结构和电学特性

1．2．1晶体结构

1．2．2电学特性

1．3 GaN基肖特基二极管介绍

1．3．1肖特基二极管原理简介

1．3．2 GaN基二极管发展现状

1．4本论文工作内容

1．4．1工作的意义

1．4．2内容与安排

第二章GaN同质外延层的表征

2．1 引言

2．2位错密度表征

2．3表面形貌表征

2．4杂质含量表征

2．5本章小结

第三章垂直型GaN基肖特基二极管仿真模拟

3．1仿真工具介绍

3．2物理模型介绍

3．2．1 Poisson方程和电流连续性方程

3．2．2输运模型

3．2．3迁移率模型

3．3数值求解方法

3．4器件模型建立

3．4．1场板结构模拟

3．4．2器件结构设计

3．5本章小结

第四章垂直型GaN肖特基二极管的制备

4．1 引言

4．2器件工艺制备

4．2．1紫外光刻工艺

4．2．2离子注入工艺

4．2．3器件工艺过程

4．3器件测试分析

4．3．1器件测试原理

4．3．2测试结果讨论

4．4本章小结

第五章总结与展望

5．1全文总结

5．2工作展望

参考文献

致谢

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