基于石墨烯氧化物量子点与碳化钛的忆阻器件性能及神经突触仿生研究

声明

第一章 绪论

1.1 课题研究背景

1.2 忆阻器的结构

1.3 忆阻器工作的基本原理

1.3.1 金属电化学机制

1.3.2 空位机制

1.3.3 热化学机制

1.4 忆阻器材料的研究

1.4.1 二元氧化物

1.4.2 固体电解质

1.4.3 有机物

1.4.4 二维材料

1.5 忆阻器件性能改善

1.5.1 电极优化

1.5.2 功能层优化

1.6 忆阻器的应用

1.7 本论文各章节主要内容及研究意义

第二章 器件制备及测试表征方法

2.1.1 磁控溅射设备

2.1.2 匀胶机

2.2 器件电学性能测试及表征设备

2.2.1 数字源表

2.2.2 示波器与函数/任意波形发生器

2.2.3 原子力显微镜

2.2.4 扫描电子显微镜

2.2.5 拉曼光谱

2.2.6 XRD

第三章 GOQDs浓度对Ag/HZO/Pt忆阻器件性能影响的研究

3.1 实验背景

3.2 器件制备与器件性能测试方法

3.3 GOQDs微观表征

3.4 器件测试结果分析

3.5 器件导电机制探究

3.6 本章总结

第四章 基于Ti3C2Tx的忆阻器件特性的研究

4.1 研究背景

4.2 Ti3C2Tx材料及器件制备

4.3 测试结果与分析

4.4 器件导电机制探究

4.5 本章总结

第五章 嵌入GOQDs的Ti3C2Tx对忆阻器件性能的影响

5.1 研究背景

5.2 器件制备及结构

5.3 测试结果及分析

5.4 导电机制分析

5.5 本章总结

第六章 总结与展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间取得的科研成果