声明
第一章 绪论
1.1 InGaAs量子点与量子点链研究背景
1.2 InGaAs量子点链的生长制备
1.3 InGaAs量子点链的研究历史及现状
1.4 本论文的主要研究工作
第二章 实验装置与技术
2.1 样品分子束外延（MBE）制备
2.2 原子力显微镜（AFM）
2.3 X射线衍射（XRD）
2.4 拉曼光谱（Raman spectra）
2.5 光谱测试系统（PL及TRPL）
第三章 不同生长温度InGaAs/GaAs量子点链材料的各向异性特研究
3.1 引言
3.2 样品结构与制备
3.3 InGaAs/GaAs量子点链形貌分析
3.4 拉曼光谱分析
3.5 样品结构与组份的XRD分析
3.6 PL及TRPL测试
3.6.1 变激发功率的PL谱
3.6.2 不同温度下的PL光谱特性
3.6.3 低温TRPL测试
3.6.4 偏振PL光谱特性
3.7 本章小节
第四章 不同In组份对InGaAs/GaAs量子点链各向异性特性影响
4.1 引言
4.2 样品结构及制备
4.3 AFM形貌分析
4.4 XRD分析
4.5 PL及TRPL测试
4.5.1 变激发功率的PL谱
4.5.2 不同温度下的PL光谱特性
4.5.3 低温TRPL测试
4.6 本章小结
第五章 结论与展望
参考文献
致谢
攻读硕士研究生期间取得的学术成果
河北大学;
