硅晶体熔化和生长的分子动力学模拟

声明

第一章 绪论

1.2 晶体生长的基本理论

1.3 晶体生长的数值模拟方法

1.4 研究现状

1.5 本文研究的主要内容

第二章 分子动力学模拟与分析技术

2.2.1周期性边界条件

2.2.2 系综

2.2.3 调温技术

2.2.4 调压技术

2.2.5 势函数

2.2.6 分析技术

2.2.7 模拟软件

第三章 硅晶体的熔化和生长过程模拟

3.1.2 模拟结果

3.1.3 分析与讨论

3.2 温度对硅晶体生长行为的影响

3.2.2 模拟结果

3.2.3 分析与讨论

3.3 晶体生长速率随时间的变化关系

3.4 本章小结

第四章 硅晶体生长各向异性研究

4.1.1 模拟结果

4.1.2 分析与讨论

4.2 固液界面形貌对生长行为的影响

4.2.2 分子动力学模拟

4.2.3 吸附能

4.3 本章小结

第五章 全文总结与展望

5.2 工作展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间发表的论文