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杨晓俐;
浙江大学;
机译:表面活性剂和掺杂剂添加ZnSe(TE)纳米结构半导体的光学和结构性能
机译:铜掺杂ZnSe纳米晶的合成,光学和结构性质及电荷载流子动力学
机译:未掺杂和Cd掺杂的CuO纳米薄片的结构,光学,形态和磁学性质研究
机译:半导体N型ZnSE和N型ZnSE掺杂AG中的双光子吸收和光学相位缀合
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:掺杂剂和光学微腔对Mn掺杂ZnSe纳米带光致发光的影响
机译:Zn掺杂Asse3THIN薄膜的结构和光学研究:ZnSe纳米晶体的光诱导形成的证据
机译:锰掺杂的核壳Znse-Cdse纳米晶的可调谐磁交换相互作用
机译:ZNSE,ZNS或ZNS / ZNSE和半导体设备中的PN结包含此类结
机译:高导电性N型ZNS,ZNSE,ZNS / ZNSE或ZNSE / ZNTE的生产
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