非晶衬底上InN的低温ALD生长及薄膜晶体管的制备

声明

第1章 绪论

1.1 引言

1.2 InN材料的研究背景

1.3 InN材料的基本物理性质

1.3.1 InN 材料的晶体结构

1.3.2 InN 材料的电学性质

1.3.3 InN 材料的光学性质

1.4 InN的制备方法

1.5 论文的主要工作

第2章 等离子体原子层沉积系统及薄膜表征方法

2.1 引言

2.2 本文所用的等离子体原子层沉积系统

2.3 薄膜的表征方法

2.3.1 X射线衍射分析（XRD）

2.3.2 扫描电子显微镜（SEM）

2.3.3 X射线光电能谱仪（XPS）

2.3.4 原子力显微镜（AFM）

2.3.5 激光拉曼光谱仪

2.3.6 电阻率测试

第3章 InN 薄膜在非晶衬底的多晶生长

3.1 衬底的处理

3.2 玻璃衬底上不同生长温度的InN薄膜制备

3.3 玻璃衬底上多晶InN薄膜的制备

3.4 聚酰亚胺衬底上多晶InN薄膜的制备

3.5 本章小结

第4章 InxGa1-xN薄膜在玻璃衬底上的多晶制备

4.1 InxGa1-xN薄膜的制备工艺

4.2 玻璃衬底上多晶In0.8Ga0.2N薄膜的制备

4.3 玻璃衬底上多晶In0.2Ga0.8N薄膜的制备

4.4 本章小结

第5章 薄膜晶体管的设计制备

5.1 薄膜晶体管基本原理及结构

5.2 薄膜晶体管的主要性能参数

5.3 薄膜晶体管的制备方法

5.3.1 磁控溅射技术

5.3.2 真空热蒸发蒸镀技术

5.3.3 光刻工艺

5.3.4 器件的制备

5.4 薄膜晶体管的性能表征

5.5 本章小结

第6章 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

致 谢

参考文献

攻读学位期间的研究成果