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2.4本章小结
3.3.2 p-GaN帽层受主浓度对器件特性的影响
参考文献
黄泽阳;
西安电子科技大学;
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管,具有半绝缘Mg掺杂GaN帽层
机译:AlGaN / GaN HFET具有低温生长GaN帽层
机译:p-GaN层掺杂对增强型GaN器件开关性能的影响
机译:增强型AlGaN / GaN晶体管的制造技术和器件仿真。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:具有p-GaN / n-GaN / p-GaN / n-GaN / p-GaN电流扩散层的改进型InGaN / GaN发光二极管
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:具有选择性和非选择性刻蚀层的增强型GaN晶体管,用于改善GaN间隔层厚度的均匀性
机译:具有选择性和非选择性蚀刻层的增强型GaN晶体管,可提高GaN隔离层厚度的均匀性
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