单层拓扑绝缘体的杂化纳米带内边缘态的自旋和自旋谷过滤器分析

1 绪 论

1.1 引言

1.2 自旋电子学的简介

1.3 谷电子学的简介

1.4 杂化单层拓扑绝缘体的纳米带内边缘态的进展

1.4.1 加入电场、平面内（外）反铁磁场或超导横波对时的内边缘态

1.4.2 加入电场和平面外反铁磁场的内边缘态

1.4.3 加入霍尔丹光场和电场时的内边缘态

2 单原子层拓扑绝缘体:硅烯，锗烯和锡烯

2.1 引言

2.2 石墨、硅烯、锗烯和锡烯

2.2.1 石墨烯

2.2.2 硅烯，锗烯和锡烯

2.3 电场调节下的狄拉克点带隙和拓扑量子场效应晶体管

2.4.1 陈数介绍

2.4.2 拓扑绝缘体的分类

2.5 拓扑边缘

2.5.1 体-边对应关系

2.5.2 螺旋边缘态和手性边缘态

2.5.3 内边缘态

2.6 Rashba自旋轨道耦合

3 杂化硅烯纳米带的内边缘态的自旋过滤和自旋谷过滤分析

3.1 研究背景以及内容

3.2 模型和理论

3.3 杂化硅烯纳米带的内边缘态的自旋和自旋谷过滤

3.3.1 单自旋谷过滤器

3.3.2 双自旋谷过滤器

3.3.3 单自旋过滤器

3.4 内边缘态对Rashba效应、杂质和缺陷的鲁棒性

3.4.1 内边缘态对Rashba自旋轨道耦合的鲁棒性

3.4.2 内边缘态对杂质的鲁棒性

3.4.3 缺陷对内边缘态的影响

3.5 组合中拓扑相选取自不同相图对内边缘态的影响

3.6 本章小结

4 总结与展望

参考文献

附录

A 论文的补充数据

B. 攻读硕士期间发表的论文

C. 作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目与获奖情况

D 学位论文数据集

致谢