锑基化合物半导体纳米线的制备及其光电探测器研究

声明

第一章 绪论

1.1 前言

1.1.1纳米材料概述

1.1.2 铟镓锑材料的基本性质

1.1.3 硫化锑材料的基本性质

1.1.4一维纳米材料在光电探测器中的应用

1.2纳米线的合成方法

1.2.1 气相传输法

1.2.2液相法

1.2.3模板法

1.3铟镓锑纳米材料和硫化锑纳米材料研究现状

1.3.1 铟镓锑

1.3.2 硫化锑

1.4本文主要工作

第二章 纳米线的制备及表征与结果分析

2.1纳米线的生长仪器及表征仪器简介

2.1.1生长仪器

2.1.2 扫描电子显微镜

2.1.3 透射电子显微镜

2.1.4 能量色散X射线光谱仪

2.1.5 X射线衍射仪

2.2 铟镓锑纳米线的制备及表征

2.2.1 实验准备部分

2.2.2 铟镓锑纳米线的制备

2.2.3 铟镓锑纳米线的形貌与成分

2.2.4 铟镓锑纳米线的高分辨结构与物相分析

2.2.5 铟镓锑纳米线生长机制探讨

2.3 硫化锑纳米线的生长与表征

2.3.1 实验准备部分

2.3.2 硫化锑纳米线的制备

2.3.3 PVP对硫化锑纳米线形貌的影响

2.3.4 PVP对硫化锑纳米线形貌的影响以及机制探讨

2.3.5硫化锑纳米线形貌、成分与结构分析

2.4 银纳米线的制备及表征

2.4.1 实验准备部分

2.4.2 银纳米线的制备

2.4.3 银纳米线形貌

2.4.4 银纳米线生长过程分析

2.5 本章小结

第三章 全纳米结构光电探测器的制备及性能测试

3.1 电极材料及器件测试系统简介

3.1.1银纳米线简介

3.1.2 MXenes材料简介

3.1.3器件测试系统简介

3.2 铟镓锑纳米线光电探测器的制备及性能测试

3.2.1探测器的制备

3.2.2探测器的测试结果

3.2.3探测器的不对称性来源分析

3.3 硫化锑纳米线光电探测器的制备及性能测试

3.3.1 探测器的制备

3.3.2探测器的测试结果

3.3.3 MXenes对探测器造成的影响分析

3.4 本章小结

第四章 总结与展望

参考文献

硕士期间发表的与学位论文相关的科研成果目录

致谢