n型/p型In-Ga(Al)-Zn-O/Zn-Sb-O超晶格纳米颗粒的可控制备及性能研究

声明

第1 章 绪论

1.1 超晶格结构简介

1.2 n 型 InMO3(ZnO)n(M=Ga,Al)超晶格纳米材料

1.2.1 InMO3(ZnO)n超晶格材料的晶体结构

1.2.2 InMO3(ZnO)n超晶格纳米结构的研究现状

1.3 n 型半导体纳米材料的气敏性能

1.4 p 型 Sb 掺杂 ZnO纳米材料

1.4.1 p 型掺杂 ZnO材料

1.4.2 Sb 掺杂 ZnO纳米结构的研究现状

1.5 选题意义和研究内容

第2 章材料制备表征及相关测试方法

2.1 纳米颗粒的制备

2.1.1 沉淀法

2.1.2 溶胶凝胶法

2.1.3 水热/溶剂热法

2.1.4 In-Ga(Al)-Zn-O/Zn-Sb-O超晶格纳米颗粒制备

2.2 纳米颗粒的表征手段

2.2.1 X射线衍射

2.2.2 透射电子显微镜

2.2.3 紫外可见漫反射光谱

2.2.4 傅里叶变换红外光谱

2.2.5 拉曼光谱

2.2.6 X射线光电子能谱

2.3 气敏性能测试

2.3.1 传感器的设计

2.3.2 气敏测试步骤和流程

2.3.3 气敏测试相关指标

2.4 p 型导电测试

2.4.1 器件的设计

2.4.2 p 型导电测试步骤和流程

第3 章 In-Ga-Zn-O 超晶格纳米颗粒的可控合成与气敏性能研究

3.1 前驱体浓度的筛选

3.2 退火时间的确定

3.3 n 值的可控合成

3.3.1 XRD结果及分析

3.3.2 TEM结果及分析

3.3.3 UV-Vis DRS结果及分析

3.4 气敏测试

3.4.1 气敏选择性和最佳工作温度的确定

3.4.2 最佳工作温度下传感器对 H2S的气敏特性

3.4.3 气敏机理

3.5 本章小结

第4 章 In-Al-Zn-O 超晶格纳米颗粒的可控合成与气敏性能研究

4.1 筛选前驱体浓度

4.2 确定退火时间

4.3 n 值的可控合成

4.3.1 XRD结果及分析

4.3.2 TEM结果及分析

4.3.3 FTIR结果及分析

4.4 气敏测试

4.4.1 气敏选择性和最佳工作温度的确定

4.4.2 最佳工作温度下传感器对 H2S的气敏特性

4.5 本章小结

第5 章 Zn-Sb-O 超晶格纳米颗粒的合成与p型导电研究

5.1 XRD结果及分析

5.2 TEM结果及分析

5.3 XPS 结果及分析

5.4 FTIR及 Raman 结果及分析

5.5 p 型导电结果及分析

5.6 本章小结

结论与展望

全文总结

展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果