首页> 中文学位 >基于Sb掺杂β-Ga2O3薄膜/p-Si异质结紫外探测器和丙酮气敏传感器的制备及性能研究
【6h】

基于Sb掺杂β-Ga2O3薄膜/p-Si异质结紫外探测器和丙酮气敏传感器的制备及性能研究

代理获取

目录

声明

引言

1β-Ga2O3的基本性质及研究进展

1.1 β-Ga2O3的结构特性

1.2 β-Ga2O3的光学特性

1.3β-Ga2O3的电学特性

1.4β-Ga2O3的气敏特性

1.5β-Ga2O3相关器件的研究近况

1.6 本文研究的主要内容

2β-Ga2O3薄膜材料的制备方法和表征手段

2.1β-Ga2O3薄膜材料的制备方法

2.2β-Ga2O3薄膜材料的表征技术

3 不同Sb掺杂量β-Ga2O3薄膜/p-Si异质结自供电紫外探测器的研究

3.1 实验过程及器件制作

3.2 样品的表征与分析

3.3 结果与讨论

3.4 小结

4 退火对Sb掺杂β-Ga2O3薄膜/p-Si异质结紫外探测性能的影响

4.1 实验过程及器件制作

4.2 样品的表征与分析

4.3 退火对异质结日盲紫外探测器性能的影响

4.4 小结

5 室温Sb掺杂β-Ga2O3薄膜/p-Si异质结气敏传感特性的研究

5.1 实验过程及器件制作

5.2 结果与讨论

5.3 气敏原理解析

5.4 小结

结论

参考文献

攻读硕士学位期间取得成果情况

致谢

展开▼

著录项

  • 作者

    王德煜;

  • 作者单位

    辽宁师范大学;

  • 授予单位 辽宁师范大学;
  • 学科 凝聚态物理
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 冯秋菊;
  • 年度 2021
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号