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第一章纳米材料的结构、特性、应用及制备技术进展
№1.1引言
№1.2纳米材料的结构
№1.2.1纳米固体的结构
№1.2.2纳米材料的电子结构特性
№1.3纳米材料的特性及应用前景
№1.3.1纳米材料的特性
№1.3.2纳米材料的应用前景
№1.4纳米材料的制备技术进展及发展趋势
№1.4.1纳米材料的制备方法概述
№1.4.2低维纳米材料制备技术的最新进展及发展趋势
№1.5水热和溶剂热技术合成无机纳米结构材料
№1.5.1纳米材料的水热合成技术
№1.5.2纳米材料的溶剂热合成技术
参考文献
第二章Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料的形成机制探讨
№2.1引言
№2.1.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物的晶体结构
№2.1.2常见的制备方法
№2.1.3性质研究进展和应用前景
№2.2 Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料的溶剂热合成及其表征
№2.2.1 Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料的溶剂热制备
№2.2.2 Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料的时间演化过程
№2.2.3其他反应条件的影响
№2.3 Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料的形成机制
№2.3.1 Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料的反应机制
№2.3.2 Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料的生长机制
№2.4小结
参考文献
第三章单源前驱溶剂热制备低维纳米半导体Sb2S3
№3.1引言
№3.1.1 Ⅴ-Ⅵ族化合物的晶体结构
№3.1.2常见的制备方法
№3.1.3性质研究进展和应用前景
№3.2单源分子前驱的合成和表征
№3.2.1单源分子前驱的晶体结构和制备
№3.2.2单源分子前驱的光学性质
№3.2.3单源分子前驱的热学性质
№3.3低维纳米半导体Sb2S3的合成和性质表征
№3.3.1单源分子前驱的溶剂热分解
№3.3.2一维纳米半导体Sb2S3的性质表征
№3.3.3一维纳米半导体Sb2S3的影响因素形成机理
№3.4小结
参考文献
第四章一维晶体结构单源前驱溶剂热制备
№4.1引言
№4.2单源分子前驱Cd[SC叫H2)2]SO4·2H2O的合成和表征
№4.2.1单源分子前驱的合成和晶体结构
№4.2.2单源分子前驱的性质表征
№4.3纳米半导体CdS的合成和性质表征
№4.3.1单源分子前驱的溶剂热分解
№4.3.2纳米半导体CdS的性质表征
№4.3.3合成中的影响因素
№4.4小结
参考文献
附录：博士期间完成的主要论文
致谢
