基于有限元方法对改善功率SiGe HBT热不稳定性的新结构研究

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第1章 绪论

1.1 引言

1.2 国内外研究现状

1.3 课题来源、研究内容及意义

第2章 多指功率SiGe HBT有限元热分析理论

2.1 引言

2.2 有限元热分析基本理论

2.2.1 热传导的基本理论

2.2.2 热传导方程及边界条件

2.2.3 热载荷理论

2.3 多指功率SIGE HBT有限元热分析方法研究

2.3.1 多指功率SiGe HBT结构分析

2.3.2 多指功率SiGe HBT有限元热阻模型

2.3.3 两步模拟法

2.4 稳态热分析理论

2.5 本章小结

第3章 具有非均匀发射极指结构的功率SiGe HBT有限元热分析

3.1 引言

3.2 非均匀发射极指间距结构改善功率SIGE HBT热性能

3.2.1 具有非均匀指间距结构的功率SiGe HBT设计方案

3.2.2 热模拟结果以及温度分布改善分析

3.3 非均匀指问距与非均匀指长组合结构改善功率SIGE HBT热性能.

3.4 本章小结

第4章 改善功率SiGe HBT热不稳定性的新结构研究

4.1 引言

4.2 发射极指分段的功率SIGE HBT设计与研究

4.2.1 设计思想

4.2.2 热模拟结果以及温度分布改善分析

4.3 新型组合结构的功率SIGE HBT研究

4.3.1 设计思想

4.3.2 热模拟结果以及温度分布改善分析

4.4 本章小结

第5章 功率SiGe HBT的设计及制作

5.1 引言

5.2 SIGE HBT的纵向结构参数选取

5.3 SIGE HBT的横向版图尺寸设计

5.4 功率SIGE HBT工艺制造流程

5.5 红外测试结果

5.6 本章小结

结论

参考文献

攻读硕士学位期间所发表的学术论文

致谢