声明
致谢
摘要
序言
1 引言
1．1 常规超导体和非常规超导体
1．2 超导电子配对对称性
2 BiS2-基超导体
2．1 研究背景
2．2 晶格结构
2．3 能带结构
3 T矩阵近似和格林函数
3．1 单个杂质掺杂诱导的局域态密度计算方法
3．2 格林函数方法推导
4 弱散射极限下的BiS2-基超导体局域电子结构
4．1 理论模型与方法
4．2 费米面
4．3 弱散射势下的局域电子态密度和电子结构
4．4 空间调制结构
5 强散射极限下的局域电子结构
5．1 强散射极限下的局域电子态密度
5．2 空间调制结构
6 结论
参考文献
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果
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