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【24h】

Fabrication of Nanodot Decorated Sapphire Substrates for Abbreviated Growth Mode Deposition of Gallium Nitride.

机译：纳米点装饰蓝宝石衬底的制造，用于氮化镓的简单生长模式沉积。

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摘要

The overarching theme of this body of work is the development and demonstration of sapphire substrates with sub-micron scale surface features laid out in arrays with controlled shape, size, and distribution. The key contributions of the work are: (1) the collaborative demonstration that such substrates enable novel GaN fabrication options like the Abbreviated Growth Mode (AGM) approach that can lead to lower cost, higher quality LED devices, (2) the proof-of-concept demonstration that large scale surface patterning with the use of anodic aluminum oxide (AAO) templates is a feasible approach for creating low-cost patterns that should be compatible with AGM, and (3) that the Aluminum-to-sapphire conversion process used to fabricate the surface structures has distinct zones of behavior with regard to feature size and temperature that can be used to suggest an optimized set of process conditions.
机译：这项工作的总体主题是开发和演示具有亚微米级表面特征的蓝宝石衬底，这些衬底以可控制的形状，大小和分布的阵列排列。这项工作的主要贡献是：（1）合作证明这种衬底可以实现新颖的GaN制造选项，例如“缩写生长模式”（AGM），可以带来成本更低，质量更高的LED器件，（2） -概念演示：使用阳极氧化铝（AAO）模板进行大规模表面图案化是创建应与AGM兼容的低成本图案的可行方法，并且（3）使用铝到蓝宝石的转换过程制造表面结构在特征尺寸和温度方面具有不同的行为区域，可用于建议一组优化的工艺条件。

著录项

  • 作者

    Biser, Jeffrey M.;

  • 作者单位

    Lehigh University.;

  • 授予单位 Lehigh University.;
  • 学科 Engineering Electronics and Electrical.;Engineering Materials Science.;Physics Optics.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 2013
  • 页码 119 p.
  • 总页数 119
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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