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【24h】

Design of pixel level CMOS readout circuitry for continuous bias uncooled bolometric long wave infrared focal plane arrays.

机译：用于连续偏置非冷却辐射热长波红外焦平面阵列的像素级CMOS读出电路设计。

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摘要

Modern IC foundries do not provide large analog storage capacitors. This limits the charge storage capacity for modern uncooled long wave infrared readout circuits. A long integration time in the pixel helps to extend the effective charge storage capacity, reduces the temporal noise, and subsequently reduces the noise bandwidth of the pixel. Modern infrared readout arrays that employ current skimming, a technique which extends the integration time, usually do so at the end of a row or column in the readout array. This thesis research describes an advanced concept of a per-pixel skimming readout approach by incorporating the skimming function inside the pixel. DC pedestal removal techniques such as current skimming allow the pixels to integrate longer by subtracting the DC bias signal. However, a low output conductance current sink is needed to subtract the DC pedestal. This thesis explores the use of cascode circuitry to decrease output conductance. Current skimming alternatives for increasing the integration time in the pixel while maintaining a low output conductance sink for continuously biased uncooled long wave infrared arrays are presented.
机译：现代IC代工厂不提供大型模拟存储电容器。这限制了现代非制冷长波红外读出电路的电荷存储能力。像素中的长积分时间有助于扩展有效电荷存储容量，减少时间噪声，并随后减小像素的噪声带宽。采用当前略读的现代红外读数阵列是一种延长积分时间的技术，通常在读数阵列的行或列的末尾执行。本论文的研究描述了一种先进的概念，即通过在像素内部合并掠过功能来逐像素掠过读出方法。 DC基座去除技术（例如，当前略读）可通过减去DC偏置信号来使像素集成更长的时间。但是，需要一个低输出电导电流吸收器来减去DC基座。本文探讨了使用共源共栅电路降低输出电导的方法。提出了用于在像素中积分时间增加同时为连续偏置的非冷却长波红外阵列保持低输出电导吸收器的当前撇取替代方案。

著录项

  • 作者

    Chesler, Troy Alexander.;

  • 作者单位

    University of Maryland, College Park.;

  • 授予单位 University of Maryland, College Park.;
  • 学科 Engineering Electronics and Electrical.
  • 学位 M.S.
  • 年度 2004
  • 页码 86 p.
  • 总页数 86
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 无线电电子学、电信技术;
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