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【24h】

The conversion of (indium,gallium)(2) selenium(3) thin films to copper (indium,gallium) diselenide for application to photovoltaic solar cells.

机译：（铟，镓）（2）硒（3）薄膜到二硒化铜（铟，镓）的转化，可用于光伏太阳能电池。

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摘要

A novel method for Cu(In,Ga)Se;The compositional, structural, and morphological evolution of the films are examined by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, transmission electron microscopy, X-ray diffraction microscopy, Auger electron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and electron probe microanalysis. Using these analyses, a model is developed describing growth by this method. Stages in the growth are: (1) formation of a smooth and dense (In,Ga);By growing films where the relative concentrations of Ga and In vary through the film depth, graded band-gap structures are formed. The growth model explains the spontaneous formation of a low-Ga surface region during the second stage. Methods for engineering different graded structures are also demonstrated. Device performance is analysed for different graded structures, both experimentally and through computer simulation of device performance. The best structure is one with a high band gap near the junction, a lower band gap further in, and an increasing band gap toward the back contact.
机译：Cu（In，Ga）Se的一种新方法;通过扫描电子显微镜，原子力显微镜，透射电子显微镜，X射线衍射显微镜，俄歇电子能谱，X-射线光电子能谱和电子探针显微分析。使用这些分析，开发了描述该方法生长的模型。生长的阶段是：（1）形成光滑而致密的（In，Ga）；通过生长Ga和In的相对浓度随膜深变化的膜，形成梯度的带隙结构。生长模型解释了第二阶段低Ga表面区域的自发形成。还演示了用于工程化不同渐变结构的方法。通过实验以及通过对设备性能的计算机模拟，分析了不同梯度结构的设备性能。最好的结构是在结附近具有高带隙，在内部具有较低的带隙，并朝着背触点增加的带隙。

著录项

  • 作者

    Gabor, Andrew M.;

  • 作者单位

    University of Colorado at Boulder.;

  • 授予单位 University of Colorado at Boulder.;
  • 学科 Engineering Electronics and Electrical.;Energy.;Engineering Materials Science.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 1995
  • 页码 170 p.
  • 总页数 170
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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